LTC4259A
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4259Af
APPLICATIOs i 为 atio
WUUU
Foldback
foldback 是 设计 至 限制 电源 消耗 在 这
场效应晶体管 在 电源-向上 和 momentary 短的-电路
情况. 在 低 端口 输出 电压, 这 电压 横过
这 场效应晶体管 是 高, 和 电源 消耗 将 是 大 如果
重大的 电流 是 流. foldback monitors 这 端口
输出 电压 和 减少 这 v
LIM
电流 限制 水平的
成直线地 从 它的 全部 值 (212.5mv 典型值) 在 一个 端口 电压
的 18v 至 大概 1/7th 的 这 全部 值 (30mv 典型值)
在 一个 端口 电压 的 0v. 和 0.5
Ω
sense 电阻器, 这个
限制 这 短的-电路 电流 至 60ma (典型值) instead 的 这
全部 425ma (典型值) 电流 限制. 当 这 ltc4259a 是 在
foldback, 这 t
ICUT
计时器 是 起作用的.
短的-电路 保护
如果 一个 端口 是 suddenly 短接 输出, 这 场效应晶体管 电源
消耗 能 上升 至 非常 高 水平, jeopardizing 这
场效应晶体管 甚至 在之前 这 正常的 电流 限制 电路 能
respond. 一个 独立的 短的-电路 电流 限制 电路
监视 为 重大的 overcurrent events (v
SENSE
>275mv, >550ma 和 一个 0.5
Ω
sense 电阻) 和 pulls
这 门 管脚 向下 立即 如果 此类 一个 事件 occurs,
关闭 止 这 场效应晶体管 在 较少 比 1
µ
s (和 非 外部
电容 在 门). 大概 100
µ
s 后来的, 门 是
允许 至 上升 后面的 向上 和 这 正常的 电流 限制 电路
将 引领 在, 准许 i
LIM
电流 至 流动 和 造成 这
t
ICUT
计时器 至 计数 向上. 在 一个 短的 电路, i
LIM
将 是
减少 用 这 foldback 特性 至 1/7th 的 这 名义上的
值.
choosing 外部 mosfets
电源 传送 至 这 端口 是 管制 和 外部
电源 mosfets. 这些 mosfets 是 控制 作 previ-
ously 描述 至 满足 这 ieee 802.3af 规格.
下面 正常的 运作, once 这 端口 是 powered 和 这
pd’s 绕过 电容 是 charged 至 这 端口 电压, 这
外部 场效应晶体管 dissipates 非常 little 电源. 这个 sug-
gests 那 一个 小 场效应晶体管 是 足够的 为 这 job. unfor-
tunately, 其它 (所需的)东西 的 这 ieee 802.3af mandate
一个 场效应晶体管 有能力 的 dissipating 重大的 电源. 当
这 端口 是 正在 powered 向上, 这 端口 电压 必须 reach
30v 或者 更多 在之前 这 pd 转变 在. 这 端口 电压 能
然后 漏出 至 0v 作 这 pd’s 绕过 电容 是 charged.
符合 至 这 ieee, 这 pd 能 直接地 连接 一个 180
µ
F
电容 至 这 端口 和 这 pse 必须 承担 那
电容 和 一个 电流 限制 的 400ma 至 450ma 为 在
least 50ms.
一个 甚至 更多 extreme 例子 是 一个 noncompliant pd 那
提供 这 恰当的 signature 在 发现 但是 然后
behaves 像 一个 低 valued 电阻, say 50
Ω
, 在 并行的 和
一个 1
µ
f 电容. 当 这 pse 有 charged 这个
noncompliant pd 向上 至 20v, 这 50
Ω
电阻 将 绘制
400ma (这 最小 ieee prescribed i
LIM
电流 限制)
keeping 这 端口 电压 在 20v 为 这 remainder 的 t
开始
.
这 外部 场效应晶体管 sees 24v 至 37v v
DS
在 400ma 至
450ma, dissipating 9.6w 至 16.7w 为 60ms (典型值).
这 ltc4259a 实现 foldback 至 减少 这 电流
限制 当 这 场效应晶体管 v
DS
是 高; 看 这 foldback
部分. 没有 foldback, 这 场效应晶体管 可以 看 作 更
作 25.7w 为 60ms (典型值) 当 powering 一个 短接 或者 一个
noncompliant pd 和 仅有的 一个 few ohms 的 阻抗. 和
foldback, 这 场效应晶体管 sees 一个 最大 的 18w 为 这
持续时间 的 t
开始
.
这 ltc4259a’s 职责 循环 保护 enforces 15 时间
变长 止 时间 比 在 时间, 阻止 successive 在-
tempts 至 电源 一个 有缺陷的 pd 从 损害的 这
场效应晶体管. 系统 软件 能 enforce 甚至 变长 wait
时间. 当 这 ltc4259a 是 运作 在 semiauto 或者
手工的 mode—described 在 更多 detail 下面 运行
modes—it 将 不 电源 在 一个 端口 直到 commanded 至 做
所以 用 这 host 控制. 用 keeping 追踪 的 t
开始
和
t
ICUT
faults, 这 host 控制 能 延迟 turning 在 这
端口 又一次 之后 一个 的 这些 faults 甚至 如果 这 ltc4259a
reports 一个 发现 好的. 在 这个 方法 这 host 控制
实现 一个 场效应晶体管 冷却 止 时期 这个 将 是
编写程序 至 保护 小 mosfets 从 重复的
热的 cycling. 这 ltc4259a 有 建造-在 职责 循环
保护 为 t
ICUT
和 t
开始
(看 t
ICUT
定时 和 t
开始
定时 sections) 那 是 sufficient 至 保护 这 mosfets
显示 在 图示 1.
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