SM5866AS
nippon 精确 电路 inc.—4
规格
绝对 最大 比率
dvss = cvss = avssa = avssb = 0 v, dvdd = cvdd = avdda = avddb
推荐 运行 情况
dvss = cvss = avssa = avssb = 0 v, dvdd = cvdd = avdda = avddb
便条: dvdd, cvdd, avdda, avddb 是 连接 在 这 lsi substrate, 和 所以 这 一样 潜在的 应当 是 应用 至 这些 inputs.
直流 电的 特性
推荐 运行 情况 应用 除非 否则 指出.
参数 标识 比率 单位
供应 电压 范围 dvdd, cvdd, avdda, avddb
−
0.3 至 7.0 V
输入 电压 范围
1
1.管脚tstn, sdi, sbcka, sbckD, rstn, di, bcki,wcki, bcpol, dspol, imd0, imd1.
便条: 比率 应用 在 电源-在 和 电源-止.
V
IN1
DVSS
−
0.3 至 dvdd
+
0.3 V
存储 温度 范围 T
STG
−
55 至 125
°
C
电源 消耗 P
D
250 mW
参数 标识 比率 单位
供应 电压 范围 dvdd, cvdd, avdda, avddb 4.5 至 5.5 V
供应 电压 差别的
dvdd – cvdd, dvdd – avdda,
dvdd – avddb, cvdd – avdda,
cvdd – avddb, avdda – avddb,
dvss – cvss, dvss – avssa,
dvss – avssb, cvss – avssa,
cvss – avssb, avssa – avssb
±0.1 V
运行 温度 范围 T
OPR
−
40 至 85
°
C
参数 标识 情况
比率
单位
最小值 典型值 最大值
dvdd, cvdd, avdda, avddb
电流 消耗量
1
1. 所有 输出 有 非 加载. 输入 数据 是 一个 npc 测试 模式.
I
DD
f
CKI
= 22.5792 mhz – 13 18 毫安
f
CKI
= 45.1584 mhz – 25 32 毫安
cki 高-水平的 输入 电压 V
IHC
0.7
×
DVDD – – V
cki 低-水平的 输入 电压 V
ILC
– – 0.3
×
DVDD V
cki 输入 电压 V
INAC
交流 连接 1.0 – – vp-p
高-水平的 输入 电压
2
2. 管脚 tstn, sdi, sbcka, sbckd, rstn, di, bcki, wcki, bcpol, dspol, imd0, imd1.
V
IH
2.4 – – V
低-水平的 输入 电压
2
V
IL
– – 0.5 V
高-水平的 输出 电压
3
3. 管脚 至.
V
OH
I
OH
=
−
1 毫安 DVDD
−
0.4 – – V
低-水平的 输出 电压
3
V
OL
I
OL
= 1 毫安 – – 0.4 V
cki 高-水平的 输入 电流 I
IHC
V
在
= dvdd 20 60 120 µA
cki 低-水平的 输入 电流 I
ILC
V
在
= 0 v 20 60 120 µA
低-水平的 输入 电流
2
I
IL1
V
在
= 0 v – 9 18 µA
高-水平的 输入 泄漏 电流
2
I
IH1
V
在
= dvdd – – 1.0 µA
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