LTC3703
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3703f
适合的 损坏 规格. 自从 许多 高
电压 mosfets 有 高等级的 门槛 电压 (typi-
cally, v
gs(最小值)
≥
6v), 这 ltc3703 是 设计 至 是 使用
和 一个 9v 至 15v 门 驱动 供应 (drv
CC
管脚).
为 最大 效率, 在-阻抗 r
ds(在)
和 输入
电容 应当 是 使减少到最低限度. 低 r
ds(在)
降低
传导 losses 和 低 输入 电容 降低
转变 losses. 场效应晶体管 输入 电容 是 一个 combi-
nation 的 一些 组件 但是 能 是 带去 从 这
典型 “gate charge” 曲线 包含 在 大多数 数据 薄板
(图示 9).
这 曲线 是 发生 用 forcing 一个 常量 输入 电流
在 这 门 的 一个 一般 源, 电流 源 承载
平台 和 然后 plotting 这 门 电压 相比 时间. 这
最初的 斜度 是 这 效应 的 这 门-至-源 和 这 门-
至-流 电容. 这 flat portion 的 这 曲线 是 这
结果 的 这 miller multiplication 效应 的 这 流-至-门
电容 作 这 流 drops 这 电压 横过 这
电流 源 加载. 这 upper sloping 线条 是 预定的 至 这
流-至-门 accumulation 电容 和 这 门-至-
源 电容. 这 miller 承担 (这 增加 在
coulombs 在 这 horizontal axis 从 一个 至 b 当 这 曲线
是 flat) 是 指定 为 一个 给 v
DS
流 电压, 但是 能 是
调整 为 不同的 v
DS
电压 用 乘以 用 这
比率 的 这 应用 v
DS
至 这 曲线 指定 v
DS
值. 一个 方法 至 估计 这 c
MILLER
期 是 至 引领 这
改变 在 门 承担 从 点 一个 和 b 在 一个 manufac-
turers 数据 薄板 和 分隔 用 这 陈述 v
DS
电压
指定. c
MILLER
是 这 大多数 重要的 选择 criteria
为 determining 这 转变 丧失 期 在 这 顶 场效应晶体管
但是 是 不 直接地 指定 在 场效应晶体管 数据 薄板. c
RSS
和 c
OS
是 指定 sometimes 但是 定义 的 这些
参数 是 不 包含.
当 这 控制 是 运行 在 持续的 模式 这
职责 循环 为 这 顶 和 bottom mosfets 是 给 用:
APPLICATIOs i 为 atio
WUUU
MainSwitchDutyCycle
V
V
SynchronousSwitchDutyCycle
VV
V
输出
在
在 输出
在
=
=
–
这 电源 消耗 为 这 主要的 和 同步的
mosfets 在 最大 输出 电流 是 给 用:
PD
I
D
R
V
I
D
RC
VV V
f
P
D
IR
主要的 最大值
最大值
最大值
DR 在
输出
最大值
最大值
DR MILLER
CC TH IL TH IL
同步
最大值
最大值 DS N
=
++
+
=
+
1
1
1
21
11
1
1
1
2
2
2
0
–
()
–
()( )•
–
()
–
()()
()
() ()
()
δ
δ
在哪里
δ
是 这 温度 dependency 的 r
ds(在)
, r
DR
是
这 有效的 顶 驱动器 阻抗 (大概 2
Ω
在
V
GS
= v
MILLER
), v
在
是 这 流 潜在的
和
这 改变
在 流 潜在的 在 这 particular 应用. v
th(il)
是 这
数据 薄板 指定 典型 门 门槛 电压 speci-
fied 在 这 电源 场效应晶体管 数据 薄板 在 这 指定 流
电流. c
MILLER
是 这 计算 电容 使用 这
门 承担 曲线 从 这 场效应晶体管 数据 薄板 和 这
技巧 描述 在之上.
两个都 mosfets 有 i
2
r losses 当 这 topside n-频道
等式 包含 一个 额外的 期 为 转变 losses,
这个 顶峰 在 这 最高的 输入 电压. 为 v
在
< 25v, 这
高 电流 效率 一般地 改进 和 大
mosfets, 当 为 v
在
> 25v, 这 转变 losses
迅速 增加 至 这 要点 那 这 使用 的 一个 高等级的
R
ds(在)
设备 和 更小的 c
MILLER
的确 提供 高等级的
效率. 这 同步的 场效应晶体管 losses 是 greatest
在 高 输入 电压 当 这 顶 转变 职责 因素 是 低
或者 在 一个 短的 电路 当 这 同步的 转变 是
在 关闭 至 100% 的 这 时期.
这 期 (1 +
δ
) 是 一般地 给 为 一个 场效应晶体管 在 这
表格 的 一个 normalized r
ds(在)
vs 温度 曲线, 和
典型地 varies 从 0.005/
°
c 至 0.01/
°
c 取决于 在
这 particular 场效应晶体管 使用.
图示 9. 门 承担 典型的
+
–
V
DS
V
在
V
GS
miller 效应
Q
在
ab
C
MILLER
= (q
B
– q
一个
)/v
DS
V
GS
V
+
–
3703 f09
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