LTC3703
16
3703f
自从
∆
I
L
增加 和 输入 电压, 这 输出 波纹 是
最高的 在 最大 输入 电压. 等效串联电阻 也 有 一个 signifi-
cant 效应 在 这 加载 瞬时 回馈. 快 加载
transitions 在 这 输出 将 呈现 作 电压 横过 这
等效串联电阻 的 c
输出
直到 这 反馈 循环 在 这 ltc3703 能
改变 这 inductor 电流 至 相一致 这 新 加载 电流
值. 典型地, once 这 等效串联电阻 必要条件 是 satisfied 这
电容 是 足够的 为 过滤 和 有 这 必需的
rms 电流 比率.
manufacturers 此类 作 nichicon, 联合的 chemicon 和
sanyo 应当 是 考虑 为 高 效能
throughhole 电容. 这 os-con (organic semicon-
ductor dielectric) 电容 有 从 sanyo 有 这
最低 产品 的 等效串联电阻 和 大小 的 任何 铝 electro-
lytic 在 一个 somewhat 高等级的 价格. 一个 额外的 陶瓷的
电容 在 并行的 和 os-con 电容 是 recom-
mended 至 减少 这 效应 的 它们的 含铅的 电感.
在 表面 挂载 产品, 多样的 电容 放置
在 并行的 将 是 必需的 至 满足 这 等效串联电阻, rms 电流
处理 和 加载 步伐 (所需的)东西. dry tantalum, spe-
cial polymer 和 铝 electrolytic 电容 是
有 在 表面 挂载 包装. 特定的 polymer
电容 提供 非常 低 等效串联电阻 但是 有 更小的 电容
密度 比 其它 类型. tantalum 电容 有 这
最高的 电容 密度 但是 它 是 重要的 至 仅有的 使用
类型 那 有 被 surge 测试 为 使用 在 切换
电源 供应. 一些 极好的 surge-测试 choices
是 这 avx tps 和 tpsv 或者 这 kemet t510 序列.
铝 electrolytic 电容 有 significantly 高等级的
等效串联电阻, 但是 能 是 使用 在 费用-驱动 产品 供应
那 仔细考虑 是 给 至 波纹 电流 比率 和
长 期 可靠性. 其它 电容 类型 包含
panasonic sp 和 sanyo poscaps.
输出 电压
这 ltc3703 输出 电压 是 设置 用 一个 电阻 分隔物
符合 至 这 下列的 formula:
VV
R
R
输出
=+
08 1
1
2
.
这 外部 电阻 分隔物 是 连接 至 这 输出 作
显示 在 这 函数的 图解, 准许 偏远的 电压
感觉到. 这 resultant 反馈 信号 是 对照的 和
这 内部的 精确 800mv 电压 涉及 用 这
错误 放大器. 这 内部的 涉及 有 一个 有保证的
容忍 的
±
1%. 容忍 的 这 反馈 电阻器 将
增加 额外的 错误 至 这 输出 电压. 0.1% 至 1%
电阻器 是 推荐.
场效应晶体管 驱动器 供应 (drv
CC
和 boost)
这 ltc3703 驱动器 是 有提供的 从 这 drv
CC
和
boost 管脚 (看 图示 3), 这个 有 一个 绝对
最大 电压 的 15v. 如果 这 主要的 供应 电压, v
在
,
是 高等级的 比 15v 一个 独立的 供应 和 一个 电压
在 9v 和 15v 必须 是 使用 至 电源 这 驱动器. 如果
一个 独立的 供应 是 不 有, 一个 能 容易地 是
发生 从 这 主要的 供应 使用 一个 的 这 电路
显示 在 figure␣ 10. 如果 这 输出 电压 是 在 10v
和 15v, 这 输出 能 是 使用 至 直接地 电源 这
驱动器 作 显示 在 图示 10a. 如果 这 输出 是 在下 10v,
图示 10b 显示 一个 容易 方法 至 boost 这 供应 电压
至 一个 sufficient 水平的. 这个 boost 电路 使用 这 lt1613 在
一个 thinsot
TM
包装 和 一个 碎片 inductor 为 minimal extra
范围 (<0.2 在
2
). 二 其它 可能 schemes 是 一个 extra
winding 在 这 inductor (图示 10c) 或者 一个 电容的
承担 打气 (图示 10d). 所有 这 电路 显示 在
Figure␣ 10 需要 一个 开始-向上 电路 (q1, d1 和 r1) 至
提供 驱动器 电源 在 最初的 开始-向上 或者 下列的 一个 短的-
电路. 这 电阻 r1 必须 是 sized 所以 那 它 供应
sufficient 根基 电流 和 齐纳 偏差 电流 在 这 最低
预期的 值 的 v
在
. 当 使用 一个 存在 供应, 这
供应 必须 是 有能力 的 供应 这 必需的 门
驱动器 电流 这个 能 是 estimated 从:
I
DRVCC
= (f)(q
g(顶)
+ q
g(bottom)
)
这个 等式 为 i
DRVCC
是 也 有用的 为 合适的 sizing
这 电路 组件 显示 在 图示 10.
一个 外部 自举 电容, c
B
, 连接 至 这
boost 管脚 供应 这 门 驱动 电压 为 这 topside
mosfets. 电容 c
B
是 charged 通过 外部
二极管, d
B
, 从 这 drv
CC
供应 当 sw 是 低. 当
这 顶 一侧 场效应晶体管 是 转变 在, 这 驱动器 places 这 c
B
电压 横过 这 门-源 的 这 顶 场效应晶体管. 这
转变 node 电压, sw, rises 至 v
在
和 这 boost 管脚
跟随. 和 这 topside 场效应晶体管 在, 这 boost 电压
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