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资料编号:1098444
 
资料名称:2SJ318S
 
文件大小: 42.37K
   
说明
 
介绍:
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-252AA
 
 


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2sj318(l), 2sj318(s)
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
流 至 源 电压 V
DSS
–20 V
门 至 源 电压 V
GSS
±20 V
流 电流 I
D
–5 一个
流 顶峰 电流 I
d(脉冲波)
*
1
–20 一个
身体 至 流 二极管 反转 流 电流 I
DR
–5 一个
频道 消耗 Pch*
2
20 W
频道 温度 Tch 150 °C
存储 温度 Tstg –55 至 +150 °C
注释 1. PW
10 µs, 职责 循环
1%
2. 值 在 t
C
= 25°c
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 损坏
电压
V
(br)dss
–20 V I
D
= –10 毫安, v
GS
= 0
门 至 源 损坏
电压
V
(br)gss
±20——V I
G
= ±100 µa, v
DS
= 0
门 至 源 leak 电流 I
GSS
±10 µA V
GS
= ±16 v, v
DS
= 0
零 门 电压 流 电流 I
DSS
–100 µA V
DS
= –16 v, v
GS
= 0
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
–1.0 –2.25 V I
D
= –1 毫安, v
DS
= –10 v
静态的 流 至 源 在 状态 R
ds(在)
0.09 0.13
I
D
= –3 一个, v
GS
= –10 v*
1
阻抗 0.14 0.19
I
D
= –3 一个, v
GS
= –4 v*
1
向前 转移 admittance |y
fs
| 3.5 5.5 S I
D
= –3 一个, v
DS
= –10 v*
1
输入 电容 Ciss 580 pF V
DS
= –10 v, v
GS
= 0,
输出 电容 Coss 520 pF f = 1 mhz
反转 转移 电容 Crss 215 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
—10—nsI
D
= –3 一个, v
GS
= –10 v,
上升 时间 t
r
—60—nsR
L
= 3.3
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
—75—ns
下降 时间 t
f
—75—ns
身体 至 流 二极管 向前
电压
V
DF
—–1.1—v I
F
= –5 一个, v
GS
= 0
身体 至 流 二极管 反转
恢复 时间
t
rr
—65—µsI
F
= –5 一个, v
GS
= 0,
di
F
/dt = 50 一个/µs
便条 1. 脉冲波 测试
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