典型 产品
(持续)
电流 限制 和 额外的 斜度
补偿
如果 一个 外部 斜度 补偿 电阻 是 使用 (看
图示 4
) 这 内部的 控制 信号 将 是 修改 和 这个
将 有 一个 效应 在 这 电流 限制. 这 控制 信号 是
给 用:
V
CS
=V
SENSE
−(d
*
V
SL
)
在哪里 V
SENSE
和 V
SL
是 定义 参数 在 这 elec-
trical 特性 部分. 如果 R
SL
是 使用, 然后 这个 将 增加
至 这 存在 斜度 补偿. 这 command 电压
将 然后 是 给 用:
V
CS
=V
SENSE
−(d
*
(v
SL
+
∆
V
SL
))
在哪里
∆
V
SL
是 这 额外的 斜度 补偿 发生
和 能 是 计算 用 使用 的
图示 5
或者 是 equal 至 40 x
10
−6
*
R
SL
. 这个 改变 这 等式 为 R
SEN
至:
因此 R
SL
能 是 使用 至 提供 一个 额外的 方法
为 设置 这 电流 限制.
电源 二极管 选择
Observation 的 这 boost 转换器 电路 显示 那 这
平均 电流 通过 这 二极管 是 这 平均 加载 cur-
rent, 和 这 顶峰 电流 通过 这 二极管 是 这 顶峰
电流 通过 这 inductor. 这 二极管 应当 是 评估 至
handle 更多 比 它的 顶峰 电流. 这 顶峰 二极管 电流
能 是 计算 使用 这 formula:
I
d(顶峰)
=I
输出
/ (1−d) +
∆
I
L
在 这 在之上 等式, I
输出
是 这 输出 电流 和
∆
I
L
有
被 定义 在
图示 9
.
这 顶峰 反转 电压 为 boost 转换器 是 equal 至 这
调整器 输出 电压. 这 二极管 必须 是 有能力 的
处理 这个 电压. 至 改进 效率, 一个 低 向前
漏出 肖特基 二极管 是 推荐.
电源 场效应晶体管 选择
这 驱动 管脚 的 LM3478 必须 是 连接 至 这 门 的 一个
外部 场效应晶体管. 在 一个 boost topology, 这 流 的 这
外部 n-频道 场效应晶体管 是 连接 至 这 inductor
和 这 源 是 连接 至 这 地面. 这 驱动 管脚
(dr) 电压 取决于 在 这 输入 电压 (看 典型 每-
formance 特性). 在 大多数 产品, 一个 逻辑 水平的
场效应晶体管 能 是 使用. 为 非常 低 输入 电压, 一个 sub-
逻辑 水平的 场效应晶体管 应当 是 使用.
这 选择 场效应晶体管 直接地 控制 这 效率. 这
核心的 参数 为 选择 的 一个 场效应晶体管 是:
1. 最小 门槛 电压, V
TH
(最小值)
2. 在-阻抗, R
DS
(在)
3. 总的 门 承担, Q
g
4. 反转 转移 电容, C
RSS
5. 最大 流 至 源 电压, V
ds(最大值)
这 止-状态 电压 的 这 场效应晶体管 是 大概 equal
至 这 输出 电压. V
ds(最大值)
的 这 场效应晶体管 必须 是
更好 比 这 输出 电压. 这 电源 losses 在 这
场效应晶体管 能 是 分类 在 传导 losses 和 交流
切换 或者 转变 losses. R
ds(在)
是 需要 至 估计
这 传导 losses. 这 传导 丧失, P
COND
,isthe
I
2
R 丧失 横过 这 场效应晶体管. 这 最大 传导 丧失
是 给 用:
10135520
图示 10. 调整 这 输出 电压
LM3478
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