pdf: 09005aef80c97087/源: 09005aef80c97015 micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
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128mb: x16 mobile sdram
一般 描述
图示 2: 部分 numbering 图解
一般 描述
这 micron
®
128mb sdram 是 一个 高-速 cmos, 动态 随机的-进入 记忆
containing 134,217,728 位. 它 是 内部 配置 作 一个 四方形-bank dram 和 一个 syn-
chronous 接口 (所有 信号 是 注册 在 这 积极的 边缘 的 这 时钟 信号,
clk). 各自 的 这 x16’s 32,554,432-位 banks 是 有组织的 作 4,096 rows 用 512 columns
用 16 位.
读 和 写 accesses 至 这 sdram 是 burst 朝向; accesses 开始 在 一个 选择
location 和 continue 为 一个 编写程序号码 的 locations 在 一个 编写程序
sequence. accesses begin 和 这 registration的 一个 起作用的 command, 这个 是 然后
followed 用 一个 读 或者 写 command. 这 地址 位 注册 coincident 和 这
起作用的 command 是 使用 至 选择 这 bank和 行 至 是 accessed (ba0, ba1 选择
这 bank; a0–a11select 这 行). 这 地址位 注册 coincident 和 这 读
或者 写 command 是 使用 至 选择 这 星ting column location 为 这 burst 进入.
这 sdram 提供 为 可编程序的 读 或者 写 burst 长度 的 1, 2, 4, 或者 8 loca-
tions, 或者 这 全部 页, 和 一个 burst terminate 选项. 一个 自动 precharge 函数 将 是
使能 至 提供 一个 自-安排时间 行 precharge那 是 initiated 在 这 终止 的 这 burst
sequence.
这 128mb sdram 使用 一个 内部的 pipelined architecture 至 达到 高-速 opera-
tion. 这个 architecture 是 兼容 和 这 2
n
rule 的 prefetch architectures, 但是 它 也
准许 这 column 地址 至 是 changed 在 每 时钟 循环 至 达到 一个 高-速,
全部地 随机的 进入. precharging 一个 bank while accessing 一个 的 这 其它 三 banks
将 hide 这 precharge 循环 和 提供 seamless 高-速, 随机的-进入 opera-
tion.
这 128mb sdram 是 设计 至 运作 在 1.8v, 低-电源 记忆 系统. 一个 自动
refresh 模式 是 提供, along 和 一个 电源-节省, 深的 电源-向下 模式. 所有 输入
和 输出 是 lvttl-兼容.
V
DD
/v
DD
Q
1.8/1.8v
H
配置
8 meg x16
8M16LF
包装
F4
B4
速 等级
8ns
9.6ns
-8
-10
毫无
它
运行 温度
扩展
工业的
例子 部分 号码:mt48h8m16lff4-8 它
54-球 vfbga (8mm x 8mm)
54-球 vfbga (8mm x 8mm) 含铅的-自由
–
配置MT48
V
DD
/
V
DD
Q
包装 速
温度
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