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资料编号:1100920
 
资料名称:2SK3600-01L
 
文件大小: 248K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
 
 


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特性
2sk3600-01l,s,sj
fuji 电源 场效应晶体管
id=f(vgs):80µs 脉冲波 测试, vds=25v,tch=25°c
id=f(vds):80µs 脉冲波 测试,tch=25°c
gfs=f(id):80µs 脉冲波 测试, vds=25v,tch=25°c
rds(在)=f(id):80µs 脉冲波 测试, tch=25°c
024681012
0
20
40
60
80
20V
7.0v
10V
8V
6.5v
7.5v
6.0v
id [a]
vds [v]
典型 输出 特性
vgs=5.5v
012345678910
0.1
1
10
100
ID[A]
VGS[V]
典型 转移 典型的
0.1 1 10 100
0.1
1
10
100
gfs [s]
id [a]
典型 跨导
0 102030405060
0.00
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
0.18
7.0v
6.5v
rds(在) [
]
id [a]
典型 流-源 在-状态 阻抗
10V
20V
8V
7.5v
6.0v
VGS=
5.5v
0 255075100125150
0
20
40
60
80
100
120
容许的 电源 消耗
pd=f(tc)
pd [w]
tc [
°
C]
0 25 50 75 100 125 150
0
50
100
150
200
250
300
350
400
I
=12A
I
=17A
I
=29A
eas [mj]
开始 tch [
°
C]
最大 avalanche 活力 vs. 开始 tch
e(作)=f(开始 tch):vcc=48v
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