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MS6M00819
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这个 材料 和 这 信息 在此处 是 这 所有物 的 Fuji Electric
设备 技术 co.,有限公司. 它们 将要 是 neither reproduced, copied,lent,
或者 disclosed 在 任何 方法 whatsoever 为 这 使用 的 任何 第三 群 也不 使用
为 这 制造 目的 没有 这 表示 写 consent 的
Fuji Electric 设备 技术 co.,有限公司.
Fuji Electric 设备 技术 co.,有限公司.
一个
Cautions
- Fuji Electric 设备 技术 是 constantly 制造 每 endeavor 至 改进 这 产品 质量 和 可靠性.
不管怎样, 半导体 产品 将 rarely 发生 至 失败 或者 运转. 至 阻止 accidents 造成 伤害 或者
death, 损坏 至 所有物 像 用 fire, 和 其它 social 损坏 resulted 从 一个 失败 或者 运转 的
这 Fuji Electric Device 技术 半导体 产品, 引领 一些 measures 至 保持 安全 此类 作 redundant
设计, 展开-fire-preventive 设计, 和 运转-protective 设计.
富士電機デバイステクノロジーは絶えず製品の品質と信頼性の向上に努めています。しかし、半導体製品は故障が発生したり、
誤動作する場合があります。富士電機デバイステクノロジー製半導体製品の故障または誤動作が、結果として人身事故・火災
等による財産に対する損害や社会的な損害を起こさないように冗長設計・延焼防止設計・誤動作防止設計など安全確保
のための手段を講じて下さい。
- 这 应用 examples 描述 在 这个 规格 仅有的 explain 典型 ones 那 使用 这 Fuji Electric 设备
技术 产品. 这个 规格 从不 确保 至 enforce 这 工业的 所有物 和 其它 权利, 也不 执照 这
enforcement 权利.
本仕様書に記載してある応用例は、富士電機デバイステクノロジー製品を使用した代表的な応用例を説明するものであり、
本仕様書によって工業所有権、その他権利の実施に対する保障または実施権の許諾を行うものではありません。
- 这 产品 描述 在 这个 规格 是 不 设计 也不 制造 为 正在 应用 至 这 设备 或者
系统 使用 下面 生命-threatening situations. When 你 考虑 应用 这 产品 的 这个 规格
至 particular 使用, 此类 作 vehicle-挂载 单位, shipboard 设备, 太空 设备, medical devices,
atomic 控制 系统 和 submarine relaying 设备 或者 系统, 请 应用 之后 confirmation
的 这个 产品 至 是 satisfied 关于 系统 构建 和 必需的 可靠性.
本仕様書に記載された製品は、人命にかかわるような状況下で使用される機器あるいはシステムに用いられることを
目的として設計・製造されたものではありません。本仕様書の製品を車両機器、船舶、航空宇宙、医療機器、原子力
制御、海底中継機器あるいはシステムなど、特殊用途へのご利用をご検討の際は、システム構成及び要求品質に
満足することをご確認の上、ご利用下さい。
如果 那里 是 任何 unclear matter 在 这个 规格, 请 联系 Fuji Electric 设备 技术 co.,有限公司.
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如果 过度的 静态的 electricity 是 应用 至 这 控制 terminals, 这 设备 将 是 broken. 执行 一些
countermeasures 相反 静态的 electricity.
制御端子に過大な静電気が印加された場合、素子が破壊する場合があります。取り扱い時は静電気対策を実施して下さい。
-
从不 增加 这 过度的 机械的 压力 至 这 主要的 或者 控制 terminals 当 这 产品 是 应用 至
equipments. 这 单元 结构 将 是 broken.
素子を装置に実装する際に、主端子や制御端子に過大な応力を与えないで下さい。端子構造が破壊する可能性があります。
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在 情况 的 insufficient -vge, erroneous 转变-在 的 IGBT 将 出现. -vge 将要 是 设置 足够的 值 至 阻止
这个 运转. (推荐 值 : -vge = -15v)
逆バイアスゲート電圧-vgeが不足しますと誤点弧を起こす可能性があります。誤点弧を起こさない為に-vgeは十分な値で
設定して下さい。 （推奨値 : -vge = -15v)
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在 情况 的 高等级的 转变-在 dv/dt 的 igbt, erroneous 转变-在 的 opposite arm IGBT 将 出现. 使用 这个 产品 在
这 大多数 合适的 驱动 情况, 此类 作 +vge, -vge, RG 至 阻止 这 运转.
ターンオン dv/dt が高いと対抗アームのＩＧＢＴが誤点弧を起こす可能性があります。誤点弧を起こさない為の最適なドライブ
条件（+vge, -vge, RG等）でご使用下さい。
- 这个 产品 将 是 broken 用 avalanche 在 情况 的 VCE 在之外 最大 比率 VCES 是 应用 在
c-e terminals. 使用 这个 产品 在里面 它的 绝对 最大 电压.
VCESを超えた電圧が印加された場合、アバランシェを起こして素子破壊する場合があります。VCEは必ず絶対定格の範囲内
でご使用下さい。
-
控制 这 surge 电压 用 adding 一个 保护 电路 (=snubber 电路) 至 这 igbt. 使用 一个 影片 电容
在 这 snubber 电路, 和 然后 设置 它 near 这 IGBT 在 顺序 至 bipass 高 频率 surge 电流.
igbtに保護回路(=スナバ回路)を付けてサージ電圧を吸収させてください。スナバ回路のコンデンサにはフィルムコンデンサ
を用い、IGBTの近くに配置して高周波サージ電圧を吸収する手段を講じてください。
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