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资料编号:1101316
 
资料名称:2SK3872-01SJ
 
文件大小: 229K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
 
 


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2
特性
2sk3974-01l,s
fuji 电源 场效应晶体管
0 25 50 75 100 125 150
0
5
10
15
20
25
30
35
40
容许的 电源 消耗
pd=f(tc)
pd [w]
tc [
°
C]
0 1020304050
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
6.5v
6.0v
7.0v
20V
10V
6.5v
vgs=5.0v
id [a]
vds [v]
典型 输出 特性
id=f(vds):80
μ
s 脉冲波 测试,tch=25
°
C
3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5 8.0
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
ID[A]
VGS[V]
典型 转移 典型的
id=f(vgs):80
μ
s 脉冲波 测试,vds=25v,tch=25
°
C
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
gfs [s]
id [a]
典型 跨导
gfs=f(id):80
μ
s 脉冲波 测试,vds=25v,tch=25
°
C
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
5
10
15
20
25
30
35
8V
5.5v 6.0v
rds(在) [
Ω
]
id [a]
典型 流-源 在-状态 阻抗
rds(在)=f(id):80
μ
s 脉冲波 测试,tch=25
°
C
10V
20V
7.0v
6.5v
VGS=
5.0v
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
5
10
15
20
25
30
35
rds(在) [
Ω
]
tch [
°
C]
典型值
最大值
流-源 在-状态 阻抗
rds(在)=f(tch):id=0.5a,vgs=10v
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