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2005 微芯 技术 公司 ds21797f-页 9
93aa86a/b/c, 93lc86a/b/c, 93c86a/b/c
2.6 擦掉/写 使不能运转 和 使能
(ewds/ewen)
这 93xx86a/b/c powers 向上 在 这 擦掉/写
使不能运转 (
EWDS
) 状态. 所有 程序编制 模式 必须 是
preceded 用 一个 擦掉/写 使能 (
EWEN
) 操作指南.
once 这
EWEN
操作指南 是 executed, 程序编制
仍然是 使能 直到 一个
EWDS
操作指南 是 executed
或者 v
CC
是 移除 从 这 设备.
至 保护 相反 意外的 数据 disturbance, 这
EWDS
操作指南 能 是 使用 至 使不能运转 所有 擦掉/写
功能 和 应当 follow 所有 程序编制
行动. 执行 的 一个
读
操作指南 是
独立 的 两个都 这
EWEN
和
EWDS
说明.
图示 2-3: ewds 定时
图示 2-4: ewen 定时
2.7 读
这
读
操作指南 输出 这 串行 数据 的 这
addressed 记忆 location 在 这 做 管脚. 一个 dummy
零 位 precedes 这 8-位 (如果 org 管脚 是 低 或者 一个-版本
设备) 或者 16-位 (如果 org 管脚 是 高 或者 b-版本
设备) 输出 string.
这 输出 数据 位 将 toggle 在 这 rising 边缘 的 这
clk 和 是 稳固的 之后 这 指定 时间 延迟 (t
PD
).
sequential 读 是 可能 当 cs 是 使保持 高. 这
记忆 数据 将 automatically 循环 至 这 next 寄存器
和 输出 sequentially.
图示 2-5: 读 定时
CS
CLK
DI
10
000x
•••
x
T
CSL
1x
CS
CLK
DI
00 1 1x
T
CSL
•••
CS
CLK
DI
做
110
一个
•••
A0
高-z
0
Dx
•••
D0 Dx
•••
D0
•••
Dx D0
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