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资料编号:1102181
 
资料名称:DIM400NSM33-F000
 
文件大小: 562K
   
说明
 
介绍:
Single Switch IGBT Module
 
 


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dim400nsm33-f000
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: 这个 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 用户 应当 follow 静电释放 处理 程序.
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电的 特性
T情况= 25°c 除非 陈述 否则
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
I
C
=400A
2.1 美国
t
f
下降 时间
V
GE
=±15V
210 ns
E
转变-止 活力 丧失
V
CE
=1800V
520 mJ
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
R
g(在)
=R
g(止)
=8.2
1130 ns
t
r
上升 时间
C
ge
=110nF
245 ns
Q
g
门 承担
l ~100nh
10 uC
E
转变-在 活力 丧失
I
C
= 400a, v
GE
= ±15v,
V
CE
=1800v,
R
g(在)
= 5.6
,
C
ge
=110nf, l ~100nh
620 mJ
Q
rr
二极管 反转 恢复
承担
I
F
=400a,v
CE
=1800v,
160 uC
I
rr
二极管 反转 恢复
电流
dI
F
/dt =2000a/美国
330 一个
E
rec
二极管 反转 恢复
活力
150 mJ
T情况= 125°c 除非 陈述 否则
标识
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
I
C
=400A
2.15 美国
t
f
下降 时间
V
GE
=±15V
220 ns
E
转变-止 活力 丧失
V
CE
=1800V
600 mJ
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
R
g(在)
= r
g(止)
=8.2
1160 ns
t
r
上升 时间
C
ge
=110nf, l ~100nh
285 ns
E
转变-在 活力 丧失
I
C
= 400a, v
GE
= ±15v,
V
CE
=1800v,
R
g(在)
= 5.6
,
C
ge
=110nf, l ~100nh
870 mJ
Q
rr
二极管 反转 恢复
承担
I
F
=400a,v
CE
=1800v,
300 uC
I
rr
二极管 反转 恢复
电流
dI
F
/dt =2000a/美国
400 一个
E
rec
二极管 反转 恢复
活力
300 mJ
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