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资料编号:1102444
 
资料名称:2SD2453
 
文件大小: 111K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN triple diffusion planar type
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SD2453
2
SJD00268AED
V
ce(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
C
P
C
T
一个
I
C
V
CE
I
C
V
safe 运作 范围
0
12
10
8
6
4
2
0 20040 80 160120
集电级 电源 消耗 p
C
(w)
包围的 温度 t
一个
(
°
c)
没有 热温 下沉
012210486
0
0.2
0.4
0.6
1.0
0.8
集电级 电流 i
C
(一个)
集电级-发射级 电压 v
CE
(v)
T
C
=25˚C
I
B
=1.2ma
0.1ma
0.2ma
0.3ma
0.4ma
0.5ma
0.6ma
0.7ma
1mA
01.20.2 1.00.4 0.80.6
0
1
2
3
5
4
根基-发射级 电压 v
(v)
集电级 电流 i
C
(一个)
T
C
=100˚C
25˚C
–25˚C
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.1 1 10
集电级-发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
I
C
/i
B
=40
T
C
=100˚C
25˚C
–25˚C
0.01 0.1 1 10
1
10
10
2
10
3
10
4
向前 电流 转移 比率 h
FE
集电级 电流 i
C
(一个)
V
CE
=4V
T
C
=100˚C
25˚C
–25˚C
0.01 0.1 1 10
1
10
10
2
10
3
10
4
集电级 电流 i
C
(一个)
转变 频率 f
T
(mhz)
V
CE
=12V
f=200MHz
T
C
=25˚C
0.01
1
0.1
1
10
100
10 100
1
000
集电级 电流 i
C
(一个)
集电级-发射级 电压 v
CE
(v)
I
CP
I
C
t=10ms
t=1s
t=1ms
非 repetitive 脉冲波
T
C
=25˚C
这个 产品 遵守 和 这 rohs directive (eu 2002/95/ec).
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