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资料编号:1102776
 
资料名称:SP8M2
 
文件大小: 67K
   
说明
 
介绍:
4V Drive Nch + Pch MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
SP8M24
晶体管
3/3
p-ch
z
电的 特性
(ta=25
°
c)
参数 标识
I
GSS
Y
fs
最小值
−−−
10
µ
AV
GS
=
20v, v
DS
=0V
V
DD
25v, v
GS
=
5V
典型值 最大值
单位
情况
门-源 泄漏
V
(br) dss
45
−−
VI
D
=
1ma, v
GS
=0V
流-源 损坏 电压
I
DSS
−−−
1
µ
AV
DS
=
45v, v
GS
=0V
零 门 电压 流 电流
V
gs (th)
1.0
−−
2.5 V V
DS
=
10v, i
D
=
1magate 门槛 电压
45 63 I
D
=
3.5a, v
GS
=
10V
静态的 流-源 在-状态
阻抗
R
ds (在)
60 84 m
m
m
I
D
=
3.5a, v
GS
=
4.5v
向前 转移 admittance
66 92 I
D
=
3.5a, v
GS
=
4V
输入 电容
4.5
−−
SV
DS
=
10v, i
D
=
3.5a
输出 电容
C
iss
1700
pF V
DS
=
10V
反转 转移 电容
C
oss
200
135
pF V
GS
=0V
转变-在 延迟 时间
C
rss
16
pF f=1MHz
上升 时间
t
d (在)
17
ns
转变-止 延迟 时间
t
r
70
ns
下降 时间
t
d (止)
14
ns
t
f
13.0
ns
Q
g
3.6
18.2 nC
Q
gs
4.7
nC I
D
=
3.5a
Q
gd
−−
nC R
L
=
7.1
Ω,
R
G
=
10
搏动
总的 门 承担
门-源 承担
门-流 承担
V
DD
25
V
I
D
=
2.0a
V
GS
=
10V
R
L
=12.5
R
G
=10
z
身体 二极管 特性
(源-流)
(ta=25
°
c)
V
SD
−−−
1.2 V I
S
=
3.5a, v
GS
=0vforward 电压
参数 标识
最小值 典型值 最大值
单位
情况
搏动
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