EMX26
晶体管
1/3
一般 目的 晶体管
(双 晶体管)
EMX26
z
特性
1) 二 2sd2654 碎片 在 一个 emt 包装.
2) 挂载 可能 和emt3 自动 挂载
machines.
3) 晶体管 elements 是 独立, eliminating
干扰.
4) 挂载 费用 和 范围 能 是 截 在 half.
z
结构
外延的 planar 类型
npn 硅 晶体管
z
外部 维度
(单位 : mm)
rohm : emt6
EMX26
abbreviated 标识 : x26
各自 含铅的 有 一样 维度
0.22
1.2
1.6
(
1
)
(
2
)(
5
)
(
3
)
(
6
)
(
4
)
0.13
0.5
0.5
0.5
1.0
1.6
这 下列的 特性 应用 至 两个都 tr
1
和 tr
2.
z
相等的 电路
EMX26
(3) (2) (1)
(4) (6)(5)
Tr
2
Tr
1
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
集电级-根基 电压
集电级-发射级 电压
发射级-根基 电压
集电级 电流
接合面 温度
存储 温度
电源 消耗
∗
1
单独的 脉冲波 pw=100ms.
∗
2
120mw 每 元素 必须 不 是 超过.
参数 标识
限制
单位
V
CBO
60 V
50
V
V
V
CEO
V
EBO
12
一个 (脉冲波) 0.2
I
C
一个 (直流)0.15
Tj 150
°
C
Tstg
−
55
至
+
150
°
C
Pd
150 (总的)
mW
∗
1
∗
2
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