EMX26
晶体管
3/3
0.2 1 2 50.5 10 20 50 100
1000
1
2
5
10
20
50
100
200
500
200
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.7 集电级-发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流 (
ΙΙ
)
集电级 饱和 电压 : v
ce(sat)
(mv)
I
C
/
I
B
=10
Ta=100
°
C
25
°
C
−
25
°
C
0.2 1 2 50.5 10 20 50 100
10000
10
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
200
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.8 根基-发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流 (
Ι
)
集电级 饱和 电压 : v
是(sat)
(mv)
Ta=25
°
C
I
C
/i
B
=10
20
50
0.2 1 2 50.5 10 20 50 100
10000
10
20
50
100
200
500
1000
2000
5000
200
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.9 根基-发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流 (
ΙΙ
)
集电级 饱和 电压 : v
是(sat)
(mv)
I
C
/i
B
=10
Ta=
−
25
°
C
100
°
C
25
°
C
−
2
−
5
−
10
−
20
−
50
−
100
−
200
−
500
1000
1
2
5
10
20
50
100
200
500
−
1
−
1000
发射级 电流 : i
E
(毫安)
图.10 增益 带宽 产品
vs. 发射级 电流
转变 频率 : f
T
(mhz)
Ta=25
°
C
V
CE
=5V
量过的
使用 脉冲波 电流
0.2 0.5 1 2 5 10 20 50
1000
1
2
5
10
20
50
100
200
500
0.1 100
collrctor 至 根基 电压 : v
CB
(v)
图.11 集电级 输出 电容
vs. 集电级-根基 电压
集电级 输出 电容 : c
ob
(pf)
Ta=25
°
C
f=1MHz
I
E
=0A
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5
100
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
0.01 10
I
B
(毫安)
图.12 输出 在 阻抗
vs. 根基 电流
ron : (
Ω
)
Ta=25
°
C
f=1kHz
V
i
=100mv(rms)
R
L
=1k
Ω
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