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资料编号:1103012
 
资料名称:2SC5585
 
文件大小: 69K
   
说明
 
介绍:
Low frequency transistor (12V, 0.5A)
 
 


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2sc5585 / 2sc5663
晶体管
rev.b 2/2
z
包装 规格
包装
代号
Taping
基本 订货
单位 (片)
h
FE
2SC5663
2SC5585
T2L
8000
TL
3000
类型
z
电的 典型的 曲线
0
1
10
根基 至 发射级 电压 : v
(v)
图.1 grounded 发射级 传播
特性
集电级 电流 : i
C
(毫安)
100
0.5 1.0
1.5
V
CE
= 2v
1000
ta =
1
25
°
C
25
°
C
-40
°
C
2
5
20
50
200
500
1 2 5 10 20 50 100 200 500
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.2 直流 电流 增益 vs.
集电级 电流
10
直流 电流 增益 : h
FE
1000
20
50
100
200
500
1000
ta =
1
25
°
C
5
2
1
V
CE
=
2V
25
°
C
-40
°
C
1
2
5
10
20
50
100
200
I
C
/
I
B
=
20
1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000
集电级 饱和 电压 : v
ce(sat)
(mv)
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.3 集电级-发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流 (
Ι
)
ta =
1
25
°
C
500
1000
25
°
C
-40
°
C
1
2
5
10
20
50
100
200
ta = 25
°
C
1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000
集电级 饱和 电压 : v
ce(sat)
(mv)
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.4 集电级-发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流 (
ΙΙ
)
I
C
/
I
B
=
50
500
1000
20
10
10
20
50
100
200
500
1000
2000
I
C
/
I
B
=
20
1 2 5 10 20 50 100 200 500 1000
集电级 饱和 电压 : v
是(sat)
(mv)
集电级 电流 : i
C
(毫安)
图.5 根基-发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流
ta =
-40
°
C
5000
10000
25
°
C
125
°
C
2
1
5
10
20
50
100 200
500 1000
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
ta = 25
°
C
V
CE
=
2V
f
T
(
MH
Z
)
集电级 至 根基 电压 : v
CB
(v)
图.6 集电级 输出 电容
发射级 输入 电容
vs. 根基 电压
搏动
0.2
0.1
0.5
1
2
5
10 20
50 100
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
ta = 25
°
C
I
E
=
0A
f
=
1MHz
集电级 输出 电容 : cob (pf)
发射级 输入 电容 : cib (pf)
发射级 至 根基 电压 : v
EB
(v)
图.7 集电级 输出 电容
vs 集电级-根基 电压
发射级 输入 电容
vs 发射级-根基 电压
Cib
Cob
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