mitsubishi <intelligent 电源 modules>
PM100RLA120
flat-根基 类型
insulated 包装
将 2005
2.3
2.4
3.5
2.5
0.8
1.0
3.0
1.2
1
10
最小值 典型值 最大值
集电级-发射级
饱和 电压
集电级-发射级
截止 电流
–
I
C
= 100a, v
D
= 15v, v
CIN
= 15v (图. 2)
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
电的 特性
(tj = 25
°
c, 除非 否则 指出)
反相器 部分
参数
标识
情况
V
ce(sat)
I
CES
V
EC
t
在
t
rr
t
c(在)
t
止
t
c(止)
限制
—
—
—
0.5
—
—
—
—
—
—
1.8
1.9
2.5
1.0
0.5
0.4
2.0
0.7
—
—
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
fwdi 向前 电压
切换 时间
V
D
= 15v, v
CIN
= 0v
↔
15V
V
CC
= 600v, i
C
= 100a
T
j
= 125
°
C
inductive 加载 (图. 3, 4)
V
CE
= v
CES
, v
CIN
= 15v
(图. 5)
V
D
= 15v, i
C
= 100a
V
CIN
= 0v (图. 1)
V
毫安
V
µ
s
单位
bottom 视图
Y
X
* 如果 你 使用 这个 值, r
th(f-一个)
应当 是 量过的 just 下面 这 碎片.
(便条-1) tc (下面 这 碎片) 度量 要点 是 在下.
arm
axis
X
Y
单位 : mm
向上
IGBT
23.7
56.7
VP WP UN WN
FWDi
23.0
43.4
IGBT
57.2
56.7
FWDi
56.5
43.4
IGBT
87.7
56.7
FWDi
86.5
43.4
IGBT
37.7
28.7
FWDi
38.0
42.0
IGBT
100.7
28.7
FWDi
101.5
42.0
VN
IGBT
70.2
28.7
FWDi
71.5
42.0
Br
IGBT
10.8
26.9
FWDi
7.2
60.6
0.16*
0.26*
0.26*
0.40*
0.023
°
c/w
R
th(j-c)q
R
th(j-c)f
R
th(j-c)q
R
th(j-c)f
R
th(c-f)
反相器 igbt (每 1 元素) (便条-1)
反相器 fwdi (每 1 元素) (便条-1)
brake igbt (便条-1)
brake fwdi (便条-1)
情况 至 fin, (每 1 单元)
热的 grease 应用 (便条-1)
标识
情况
单位
最小值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
接合面 至 情况 热的
抵制
热的 抵制
联系 热的 阻抗
参数
限制
典型值 最大值
参数标识
供应 电压 保护 用
SC
供应 电压 (surge)
存储 温度
分开 电压
情况
V
cc(surge)
T
stg
V
iso
比率
V
cc(prot)
800
1000
–
40 ~ +125
2500
单位
V
°
C
V
rms
V
V
D
= 13.5 ~ 16.5v, 反相器 部分,
T
j
= +125
°
c 开始
应用 在 : p-n, surge 值
60hz, sinusoidal, charged 部分 至 根基, 交流 1 最小值
总的 系统