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资料编号:1103264
资料名称:
MG400V1US51A
文件大小: 116K
说明
:
介绍
:
High Power Switching Applications Motor Control Applications
: 点此下载
3
4
5
6
7
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
dec.2005
mitsubishi igbt modules
MG400V1US51A
高 电源 切换 产品
发动机 控制 产品
E
dsw
-
R
G
1000
0
200
400
600
800
20
0
4
8
12
16
0
1000
1500
2000
2500500
V
CE
, v
GE
-
Q
G
集电级-发射级 电压 v
CE
(v)
门-发射级 电压 v
GE
(v)
承担 q
G
(nc)
一般 发射级
R
L
= 2.25
Ω
T
j
= 25
°
C
V
GE
= 0v
f = 1mhz
T
C
= 25
°
C
10
5
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
10
2
10
3
10
4
10
0
23
57
23
57
10
1
10
2
C
-
V
CE
电容 c
(pf)
集电级-发射级 电压 v
CE
(v)
C
ies
C
res
C
oes
R
th
-
t
W
瞬时 热的
阻抗 r
th(j-c)
(
°
c/w)
脉冲波 宽度 t
W
(s)
二极管 平台
晶体管 平台
10
2
7
5
3
2
7
5
3
2
10
1
10
0
0812
164
反转 恢复 丧失 e
dsw
(mj)
门 阻抗 r
G
(
Ω
)
E
dsw
-
I
F
10
2
7
5
3
2
7
5
3
2
10
1
10
0
0
200
300
400100
反转 恢复 丧失 e
dsw
(mj)
向前 电流 i
F
(一个)
T
C
= 25
°
C
10
0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
10
-3
10
-2
10
-1
10
-3
23
57
10
-1
10
0
10
1
10
-2
23
57
23
57
23
57
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
一般 发射级
V
CC
= 900v
I
C
= 400a
V
GE
=
±
15V
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
一般 发射级
V
CC
= 900v
R
G
= 2
Ω
V
GE
=
±
15V
600
300
900
V
CE
=0V
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