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ltc4210-1/ltc4210-2
421012f
正常的 模式/外部 计时器 控制
whenever 这 计时器 管脚 电压 drops 在下 这 comp1
门槛, 但是 是 不 在 重置 模式, 这 计时器 enters
正常的 (100
µ
一个 源) 模式 和 一个 相等的 7k resis-
tive 拉-向下. 表格 1 显示 这 relationship 的 t
最初的
,
t
CBDELAY
, t
COOLOFF
vs c
计时器
.
如果 这 计时器 管脚 是 牵引的 在之外 这 comp2 门槛,
这 门 管脚 是 牵引的 至 地面 立即. 这个 准许
这 计时器 管脚 至 是 使用 为 超（电）压 发现, 看
图示 11.
externally forcing 这 计时器 管脚 在下 这 comp1 thresh-
old 将 重置 这 计时器 至 正常的 模式. 在 overvolt-
age 发现, 这 计时器’s 100
µ
一个 拉-向下 电流 将
continue 至 是 在 如果 (v
CC
– sense) 电压 是 在下 50mv.
如果 这 (v
CC
– sense) 电压 超过 50mv 在 这
超（电）压 发现, 这 计时器 电流 将 是 这 一样
作 描述 为 latched-止 或者 autoretry 模式. 看 这
部分 超（电）压 发现 使用 计时器 管脚
为 详细信息 的 这 应用.
电源-止 循环
这 系统 能 是 重置 用 toggling 这 在 管脚 低 为
更多 比 30
µ
s 作 显示 在 时间 要点 7 的 图示 3. 这
门 管脚 是 牵引的 至 地面. 这 计时器 电容 是 也
释放 至 地面. c
加载
discharges 通过 这 加载.
alternatively, 这 计时器 管脚 能 是 externally 驱动 在之上
这 comp2 门槛 至 转变 止 这 门 管脚.
电源 场效应晶体管 选择
电源 mosfets 能 是 classified 用 r
DSON
在 v
GS
门
驱动 比率 的 10v, 4.5v, 2.5v 和 1.8v. 使用 这 典型
曲线
∆
vgate vs 供应 电压 和
∆
vgate vs tem-
perature 至 决定 whether 这 门 驱动 电压 是
足够的 为 这 选择 场效应晶体管 在 这 运行 volt-
age.
在 增加, 这 选择 场效应晶体管 应当 fulfill 二 v
GS
criteria:
1. 积极的 v
GS
绝对 最大 比率 > ltc4210
最大
∆
V
门
, 和
2. 负的 v
GS
绝对 最大 比率 > 供应
电压. 这 门 的 这 场效应晶体管 能 释放 faster
比 v
输出
当 关闭 向下 这 场效应晶体管 和 一个 大
C
加载
.
如果 一个 的 这 情况 不能 是 符合, 一个 外部 齐纳
clamp 显示 在 图示 10a 或者 图示 10b 能 是 使用. 这
选择 的 r
G
应当 是 在里面 这 允许 ltc4210
包装 消耗 当 discharging v
输出
通过 这 齐纳
clamp.
APPLICATIOs i 为 atio
WUUU
表格 1. t
最初的
, t
CBDELAY
, t
COOLOFF
vs c
计时器
C
计时器
(
µ
f) t
最初的
(ms) t
CBDELAY
(ms) t
COOLOFF
(ms)
0.033 9.0 0.7 18.2
0.047 12.8 1 25.9
0.068 18.6 1.5 37.4
0.082 22.4 1.8 45.1
0.1 27.3 2.2 55
0.22 60.0 4.8 121
0.33 90.1 7.2 181.5
0.47 128.3 10.2 258.5
0.68 185.6 14.7 374
0.82 223.8 17.8 451
1 272.9 21.7 550
2.2 600.5 47.7 1210
3.3 900.7 71.5 1815
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