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LTC4414
4414f
APPLICATIOs i 为 atio
WUUU
介绍
这 系统 设计者 将 find 这 ltc4414 有用的 在 一个
多样性 的 费用 和 空间 敏感的 电源 控制 applica-
tions 那 包含 低 丧失 二极管 或者’ing, 全部地 自动
switchover 从 一个 primary 至 一个 auxiliary 源 的 电源,
微控制器 控制 switchover 从 一个 primary 至
一个 auxiliary 源 的 电源, charging 的 多样的 batter-
ies 从 一个 单独的 charger 和 高 一侧 电源 切换.
外部 p-频道 场效应晶体管 晶体管 选择
重要的 参数 为 这 选择 的 mosfets 是
这 最大 流-源 电压 v
ds(最大值),
门槛
电压 v
gs(vt)
和 在-阻抗 r
ds(在)
.
这 最大 容许的 流-源 电压, v
ds(最大值),
必须 是 高 足够的 至 承受 这 最大 流-
源 电压 seen 在 这 应用.
这 最大 门 驱动 电压 为 这 primary 场效应晶体管
是 设置 用 这 小 的 这 v
在
供应 电压 或者 这 内部的
夹紧 电压 v
g(在).
一个 逻辑 水平的 场效应晶体管 是 com-
monly 使用, 但是 如果 一个 低 供应 电压 限制 这 门
电压, 一个 sub-逻辑 水平的 门槛 场效应晶体管 应当 是
考虑. 这 最大 门 驱动 电压 为 这
auxiliary 场效应晶体管, 如果 使用, 是 决定 用 这 外部
电阻 连接 至 这 stat 管脚.
作 一个 一般 rule, 选择 一个 场效应晶体管 和 一个 低 足够的
R
ds(在)
至 获得 这 desired v
DS
当 运行 在 全部
加载 电流 和 一个 achievable v
GS
. 这 场效应晶体管 正常情况下
运作 在 这 直线的 区域 和 acts 像 一个 电压
控制 电阻. 如果 这 场效应晶体管 是 grossly undersized,
它 能 enter 这 饱和 区域 和 一个 大 v
DS
将
结果. 不管怎样, 这 流-源 二极管 的 这 场效应晶体管, 如果
向前 片面的, 将 限制 v
DS
. 一个 大 v
DS
, 联合的 和
这 加载 电流, 将 likely 结果 在 excessively 高
场效应晶体管 电源 消耗. 保持 在 mind 那 这 ltc4414
将 regulate 这 向前 电压 漏出 横过 这 primary
场效应晶体管 在 20mv 如果 r
ds(在)
是 低 足够的. 这 必需的
R
ds(在)
能 是 计算 用 dividing 0.02v 用 这 加载
电流 在 放大器. 实现 向前 规章制度 将 迷你-
mize 电源 丧失 和 热温 消耗, 但是 它 是 不 一个
necessity. 如果 一个 向前 电压 漏出 的 更多 比 20mv 是
可接受的 然后 一个 小 场效应晶体管 能 是 使用, 但是 必须
是 sized 兼容 和 这 高等级的 电源 消耗.
小心 应当 是 带去 至 确保 那 这 电源 dissipated
是 从不 允许 至 上升 在之上 这 生产者’s recom-
mended 最大 水平的. 这 auxiliary 场效应晶体管 电源
转变, 如果 使用, 有 类似的 仔细考虑, 但是 它的 v
GS
能
是 tailored 用 电阻 选择. 当 choosing 这
电阻 值 考虑 这 全部 范围 的 stat 管脚 电流
(i
s(snk)
) 那 将 流动 通过 它.
V
在
和 sense 管脚 绕过 电容
许多 类型 的 电容, ranging 从 0.1
µ
f 至 10
µ
f 和
located 关闭 至 这 ltc4414, 将 提供 足够的 v
在
bypassing 如果 需要. 电压 droop 能 出现 在 这 加载
在 一个 供应 switchover 因为 一些 时间 是 必需的
至 转变 在 这 场效应晶体管 电源 转变. factors 那 deter-
mine 这 巨大 的 这 电压 droop 包含 这
供应 上升 和 下降 时间, 这 场效应晶体管’s 特性,
这 值 的 c
输出
和 这 加载 电流. droop 能 是 制造
微不足道的 用 这 恰当的 选择 的 c
输出
,
自从 这 droop
是 inversely 均衡的 至 这 电容. 绕过 ca-
pacitance 为 这 加载 也 取决于 在 这 应用’s
动态 加载 (所需的)东西 和 典型地 范围 从 1
µ
F
至 47
µ
f. 在 所有 具体情况, 这 最大 droop 是 限制 至 这
流 源 二极管 向前 漏出 inside 这 场效应晶体管.
提醒 必须 是 exercised 当 使用 multilayer 陶瓷的
电容. 因为 的 这 自 resonance 和 高 q
特性 的 一些 类型 的 陶瓷的 电容, 高
电压 过往旅客 能 是 发生 下面 一些 开始-向上
情况 此类 作 连接 一个 供应 输入 至 一个 hot
电源 源. 至 减少 这 q 和 阻止 这些 tran-
sients 从 exceeding 这 ltc4414’s 绝对 最大
电压 比率, 这 电容’s 等效串联电阻 能 是 增加 用
adding 向上 至 一些 ohms 的 阻抗 在 序列 和 这
陶瓷的 电容. 谈及 至 应用 便条 88.
这 选择 电容 值 和 电容’s 等效串联电阻 能 是
核实 用 observing v
在
和 sense 为 可接受的 volt-
age transitions 在 动态 情况 在 这 全部
加载 电流 范围. 这个 应当 是 审查 和 各自
电源 源 作 好. ringing 将 表明 一个 incorrect
绕过 电容 值 和/或者 too 低 一个 等效串联电阻.
V
在
和 sense 管脚 用法
自从 这 相似物 控制’s 门槛 是 小 (
±
20mv),
这 v
在
和 sense 管脚 连接 应当 是 制造 在 一个
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