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资料编号:1104571
 
资料名称:LT3491
 
文件大小: 335K
   
说明
 
介绍:
White LED Driver in SC70 with Integrated Schottky
 
 


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ltc1629/ltc1629-pg
效率 仔细考虑
这 百分比 效率 的 一个 切换 调整器 是 equal 至
这 输出 电源 分隔 用 这 输入 电源 时间 100%.
它 是 常常 有用的 至 analyze 单独的 losses 至 决定
what 是 限制的 这 效率 和 这个 改变 将
生产 这 大多数 改进. 百分比 效率 能 是
表示 作:
%efficiency = 100% – (l1 + l2 + l3 + ...)
在哪里 l1, l2, 等 是 这 单独的 losses 作 一个 percentage
的 输入 电源.
虽然 所有 dissipative elements 在 这 电路 生产
losses, 四 主要的 来源 通常地 账户 为 大多数 的 这
losses 在 ltc1629 电路: 1) ltc1629 v
电流 (在-
cluding 加载 在 这 差别的 放大器 输出),
2) intv
CC
调整器 电流, 3) i
2
r losses 和 4) topside
场效应晶体管 转变 losses.
1) 这 v
电流 有 二 组件: 这 第一 是 这
直流 供应 电流 给 在 这 电的 特性
表格, 这个 excludes 场效应晶体管 驱动器 和 控制 cur-
rents; 这 第二 是 这 电流 描绘 从 这 差别的
放大器 输出. v
电流 典型地 结果 在 一个 小
(<0.1%) 丧失.
2) intv
CC
电流 是 这 总 的 这 场效应晶体管 驱动器 和
控制 电流. 这 场效应晶体管 驱动器 电流 结果 从
切换 这 门 电容 的 这 电源 mosfets.
各自 时间 一个 场效应晶体管 门 是 切换 从 低 至 高 至
低 又一次, 一个 小包装板盒 的 承担 dq moves 从 intv
CC
地面. 这 结果 dq/dt 是 一个 电流 输出 的 intv
CC
是 典型地 更 大 比 这 控制 电路 电流. 在
持续的 模式, i
GATECHG
= (q
T
+ q
B
), 在哪里 q
T
和 q
B
是 这 门 charges 的 这 topside 和 bottom 一侧
mosfets.
供应 intv
CC
电源 通过 这 extv
CC
转变 输入
从 一个 输出-获得 源 将 规模 这 v
电流
必需的 为 这 驱动器 和 控制 电路 用 这 比率
(职责 因素)/(效率). 为 例子, 在 一个 20v 至 5v
应用, 10ma 的 intv
CC
电流 结果 在 approxi-
mately 3ma 的 v
电流. 这个 减少 这 mid-电流
丧失 从 10% 或者 更多 (如果 这 驱动器 是 powered 直接地
从 v
) 至 仅有的 一个 few 百分比.
3) i
2
r losses 是 predicted 从 这 直流 抵制 的 这
fuse (如果 使用), 场效应晶体管, inductor, 电流 sense resistor,
和 输入 和 输出 电容 等效串联电阻. 在 持续的 模式
这 平均 输出 电流 flows 通过 l 和 r
SENSE
,
但是 是 “chopped” 在 这 topside 场效应晶体管 和 这
同步的 场效应晶体管. 如果 这 二 mosfets 有 approxi-
mately 这 一样 r
ds(在)
, 然后 这 阻抗 的 一个
场效应晶体管 能 simply 是 summed 和 这 抵制 的 l,
R
SENSE
和 等效串联电阻 至 获得 i
2
r losses. 为 例子, 如果 各自
R
ds(在)
=10m
, r
L
=10m
, 和 r
SENSE
=5m
, 然后 这
总的 阻抗 是 25m
. 这个 结果 在 losses ranging
从 2% 至 8% 作 这 输出 电流 增加 从 3a 至
15a 每 输出 平台 为 一个 5v 输出, 或者 一个 3% 至 12% 丧失
每 输出 平台 为 一个 3.3v 输出. 效率 varies 作 这
inverse 正方形的 的 v
输出
为 这 一样 外部 组件
和 输出 电源 水平的. 这 联合的 影响 的 increas-
ingly 更小的 输出 电压 和 高等级的 电流 必需的
用 高 效能 数字的 系统 是 不 doubling 但是
quadrupling 这 重要 的 丧失 条款 在 这 切换
调整器 system!
4) 转变 losses 应用 仅有的 至 这 topside 场效应晶体管(s),
和 仅有的 当 运行 在 高 输入 电压 (典型地
20v 或者 更好). 转变 losses 能 是 estimated 从:
转变 丧失 = (1.7) v
2
I
o(最大值)
C
RSS
f
其它 “hidden” losses 此类 作 铜 查出 和 内部的
电池 抵制 能 账户 为 一个 额外的 5% 至
10% 效率 降级 在 可携带的 系统. 它 是 非常
重要的 至 包含 这些 “system” 水平的 losses 在 这
设计 的 一个 系统. 这 内部的 电池 和 输入 fuse
阻抗 losses 能 是 使减少到最低限度 用 制造 确信 那
C
有 足够的 承担 存储 和 一个 非常 低 等效串联电阻 在 这
切换 频率. 一个 50w 供应 将 典型地 需要 一个
最小 的 200
µ
f 至 300
µ
f 的 电容 having 一个
最大 的 10m
至 20m
的 等效串联电阻. 这 ltc1629
polyphase architecture 典型地 halves 至 quarters 这个
输入 电容 必要条件 在 competing 解决方案.
其它 losses 包含 肖特基 传导 losses 在
dead-时间 和 inductor 核心 losses 一般地 账户 为
较少 比 2% 总的 额外的 丧失.
APPLICATIO s i ATIO
WUU
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