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资料编号:1104632
 
资料名称:LT3800EFE
 
文件大小: 245K
   
说明
 
介绍:
High-Voltage Synchronous Current Mode Step-Down Controller
 
 


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LT3800
16
3800f
电源 场效应晶体管 选择
外部 n-频道 场效应晶体管 switches 是 使用 和 这
lt3800. 这 积极的 门-源 驱动 电压 的 这
lt3800 为 两个都 switches 是 roughly 相等的 至 这 v
CC
供应 电压, 为 使用 的 标准 门槛 mosfets.
选择 criteria 为 这 电源 mosfets 包含 这 “on”
阻抗 (r
ds(在)
), 总的 门 承担 (q
G
), 反转 转移
电容 (c
RSS
), 最大 流-源 电压 (v
DSS
)
和 最大 电流.
这 电源 fets 选择 必须 有 一个 最大 运行
V
DSS
exceeding 这 最大 v
. v
GS
电压 最大
必须 超过 这 v
CC
供应 电压.
总的 门 承担 (q
G
) 是 使用 至 决定 这 场效应晶体管 门
驱动 电流 必需的. q
G
增加 和 应用 门
电压, 所以 这 q
G
为 这 最大 应用 门 电压
必须 是 使用. 一个 图表 的 q
G
vs. v
GS
是 典型地 提供
在 场效应晶体管 数据手册.
在 一个 配置 在哪里 这 lt3800 直线的 调整器 是
供应 v
CC
和 v
BOOST
电流, 这 v
CC
8v 输出
电压 能 是 使用 至 决定 q
G
. 必需的 驱动
电流 为 一个 给 场效应晶体管 跟随 这 简单的 relation:
I
= q
g(8v)
• f
O
Q
g(8v)
是 这 总的 场效应晶体管 门 承担 为 v
GS
= 8v, 和 f
0
=
运行 频率. 如果 这些 电流 是 externally de-
rived 用 backdriving v
CC
, 使用 这 backfeed 电压 至
决定 q
G
. 是 知道, 不管怎样, 那 甚至 在 一个 backfeed
配置, 这 驱动 电流 为 两个都 boosted 和
同步的 fets 是 安静的 典型地 有提供的 用 这 lt3800
内部的 v
CC
调整器 在 开始-向上. 这 lt3800 能
开始 使用 fets 和 一个 联合的 q
g(8v)
向上 至 180nc.
once 电压 (所需的)东西 有 被 决定, r
ds(在)
能 是 选择 为基础 在 容许的 电源 消耗 和
必需的 输出 电流.
在 一个 lt3800 buck 转换器, 这 平均 inductor 电流
是 equal 至 这 直流 加载 电流. 这 平均 电流
通过 这 主要的 (bootstrapped) 和 同步的
(地面-涉及) switches 是:
I
主要的
= (i
加载
)(直流)
I
同步
= (i
加载
)(1 – 直流)
这 r
ds(在)
必需的 为 一个 给 传导 丧失 能 是
计算 使用 这 relation:
P
丧失
= i
转变
2
• r
ds(在)
在 高 电压 产品 (v
> 20v), 这 主要的 转变
是 必需的 至 回转 非常 大 电压. 场效应晶体管 转变
losses 是 均衡的 至 v
2
和 能 变为 这
首要的 电源 丧失 期 在 这 主要的 转变. 这个 transi-
tion 丧失 takes 这 表格:
P
TR
(k)(v
)
2
(i
转变
)(c
RSS
)(f
O
)
在哪里 k 是 一个 常量 inversely related 至 这 门 驱动
电流, 近似 用 k = 2 在 lt3800 产品,
和 i
转变
是 这 转换器 输出 电流. 这 电源
丧失 条款 为 这 switches 是 因此:
P
主要的
= (直流)(i
转变
)
2
(1 + d)(r
ds(在)
) +
2(v
)
2
(i
转变
)(c
RSS
)(f
O
)
P
同步
= (1 – 直流)(i
转变
)
2
(1 + d)(r
ds(在)
)
这 (1 + d) 期 在 这 在之上 relations 是 这 温度
dependency 的 r
ds(在)
, 典型地 给 在 这 表格 的 一个
normalized r
ds(在)
vs 温度 曲线 在 一个 场效应晶体管
数据 薄板.
这 c
RSS
期 是 典型地 小 为 高等级的 电压 fets,
和 它 是 常常 advantageous 至 使用 一个 场效应晶体管 和 一个 高等级的 v
DS
比率 至 降低 转变 losses 在 这 费用 的
额外的 r
ds(在)
losses.
在 一些 产品, parasitic 场效应晶体管 capacitances couple
这 负的 going 转变 node 瞬时 面向 这 bottom
门 驱动 管脚 的 这 lt3800, 造成 一个 负的 电压 在
excess 的 这 绝对 最大 比率 至 是 imposed 在
那 管脚. 连接 的 一个 catch 肖特基 二极管 从 这个
管脚 至 地面 将 eliminate 这个 效应. 一个 1a 电流 比率
是 典型地 sufficient 为 这 二极管.
APPLICATIOs i 为 atio
WUUU
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