LT3800
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3800f
有效的 grounding 能 是 达到 用 considering 转变
电流 在 这 地面 平面, 和 这 返回 电流 paths
的 各自 各自的 绕过 电容. 这 v
在
绕过
返回, v
CC
绕过 返回, 和 这 源 的 这 synchro-
nous 场效应晶体管 carry pgnd 电流. sgnd originates 在 这
负的 终端 的 这 v
输出
绕过 电容, 和 是 这
小 信号 涉及 为 这 lt3800.
don’t 是 tempted 至 run 小 查出 至 独立的 地面
paths. 一个 好的 地面 平面 是 重要的 作 总是, 但是
pgnd 涉及 绕过 elements 必须 是 朝向 此类
那 瞬时 电流 在 这些 返回 paths 做 不
corrupt 这 sgnd 涉及.
在 这 dead-时间 在 转变 传导, 这
身体 二极管 的 这 同步的 场效应晶体管 conducts inductor
电流. commutating 这个 二极管 需要 一个 重大的
承担 contribution 从 这 主要的 转变. 在 这 instant
这 身体 二极管 commutates, 一个 电流 不连续 是
创建 和 parasitic 电感 导致 这 转变 node
至 fly 向上 在 回馈 至 这个 不连续. 高 电流
和 过度的 parasitic 电感 能 发生 极其
快 dv/dt 上升 时间. 这个 phenomenon 能 导致
avalanche 损坏 在 这 同步的 场效应晶体管 身体 di-
ode, 重大的 inductive 越过 在 这 转变 node,
和 shoot-通过 电流 通过 parasitic 转变-在 的 这
同步的 场效应晶体管. 布局 practices 和 组件 ori-
entations 那 降低 parasitic 电感 在 这个 node
是 核心的 为 减少 这些 影响.
ringing 波形 在 一个 转换器 电路 能 含铅的 至
设备 失败, 过度的 emi, 或者 instability. 在 许多 具体情况,
你 能 damp 一个 ringing 波形 和 一个 序列 rc
网络 横过 这 offending 设备. 在 lt3800 applica-
tions, 任何 ringing 将 典型地 出现 在 这 转变 node,
这个 能 通常地 是 减少 用 放置 一个 snubber 横过
这 同步的 场效应晶体管. 使用 的 一个 snubber 网络, 不管怎样,
应当 是 考虑 一个 last resort. 有效的 布局 prac-
tices 典型地 减少 ringing 和 越过, 和 将
eliminate 这 需要 为 此类 解决方案.
有效的 grounding 技巧 是 核心的 为 successful
直流/直流 转换器 layouts. orient 电源 path 组件
此类 那 电流 paths 在 这 地面 平面 做 不 交叉
通过 信号 地面 areas. 信号 地面 谈及 至 这
exposed 垫子 在 这 backside 的 这 lt3800 ic. sgnd 是
关联 至 这 (–) 终端 的 这 v
输出
解耦
电容 和 是 使用 作 这 转换器 电压 反馈
涉及. 电源 地面 电流 是 控制 在 这
lt3800 通过 这 pgnd 管脚, 和 这个 地面 references 这
高 电流 同步的 转变 驱动 组件, 作
好 作 这 local v
CC
供应. 它 是 重要的 至 保持 pgnd
和 sgnd 电压 consistent 和 各自 其它, 所以 sepa-
比率 这些 grounds 和 薄的 查出 是 不 推荐.
当 这 同步的 场效应晶体管 是 转变 在, 门 驱动 surge
电流 返回 至 这 lt3800 pgnd 管脚 从 这 场效应晶体管
源. 这 boost 供应 refresh surge 电流 也
返回 通过 这个 一样 path. 这 同步的 场效应晶体管 必须
是 朝向 此类 那 这些 pgnd 返回 电流 做 不
corrupt 这 sgnd 涉及. 问题 造成 用 这
pgnd 返回 path 是 一般地 公认的 在 重的
加载 情况, 和 是 典型地 evidenced 作 多样的
转变 脉冲 occurring 在 一个 单独的 5
µ
s 转变 循环.
这个 行为 indicates 那 sgnd 是 正在 corrupted 和
grounding 应当 是 改进. sgnd corruption 能
常常 是 eliminated, 不管怎样, 用 adding 一个 小 电容
(100pf-200pf) 横过 这 同步的 转变 场效应晶体管 从
流 至 源.
这 高 di/dt 循环 formed 用 这 转变 mosfets 和 这
输入 电容 (c
在
) 应当 有 短的 宽 查出 至
降低 高 频率 噪音 和 电压 压力 从
inductive ringing. 表面 挂载 组件 是 前-
ferred 至 减少 parasitic inductances 从 组件
leads. 连接 这 流 的 这 主要的 转变 场效应晶体管
直接地 至 这 (+) 加设护板 的 c
在
, 和 连接 这 源 的
这 同步的 转变 场效应晶体管 直接地 至 这 (–) termi-
nal 的 c
在
. 这个 电容 提供 这 交流 电流 至 这
转变 mosfets. 转变 path 电流 能 是 控制
用 orienting 转变 fets, 这 切换 inductor, 和 输入
和 输出 解耦 电容 在 关闭 proximity 至
各自 其它.
locate 这 v
CC
和 boost 解耦 电容 在 关闭
proximity 至 这 ic. 这些 电容 carry 这 场效应晶体管
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