LT3750EMS_集成电路资料查询网

LT3800
22
3800f
典型 applicatio  s
U
V
在
NC
SHDN
C
SS
burst_en
V
FB
V
C
SENSE
–
BOOST
TG
SW
NC
V
CC
BG
PGND
SENSE
+
LT3800
SGND
c1 3.9nf
c9 1nf
C3
100pF
C2
1nF
C6
47pF
R2
154k
1%
R1
49.9k
1%
R5
47k
D2
1N4148
r4 51k
R3
27k
R
一个
1M
R
B
187k
R
S
0.02
Ω
D1
BAS19
c5 1
µ
F
10v x7r
c4 1
µ
F
10v x7r
C8
22
µ
F
×
3
C7
100
µ
F
×
2
M1
Si7884DP
M2
Si7884DP
DS1
SS14
L1
10
µ
H
V
在
9v 至 38v
V
输出
5v 在 6a
3800 ta05a
c7: tdk c4532x5r0j107mt
c8: tdk c5750x7r1e226mt
l1: ihlp-5050fd-01
9v-38v 至 5v 6a 直流/直流 转换器 和 所有 陶瓷的 电容, 输入 uvlo,
burst 模式 运作 和 电流 限制 foldback
效率 和 电源 丧失
I
加载
(一个)
70
效率 (%)
电源 丧失 (w)
80
85
95
100
0.001 0.1 1 10
3800 ta05b
60
0.01
90
75
65
0.80
1.60
2.00
2.80
3.20
0
2.40
1.20
0.40
V
在
= 13.8v

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LT3800 22 3800f 典型 applicatio s U V 在 NC SHDN C SS burst_en V FB V C SENSE – BOOST TG SW NC V CC BG PGND SENSE + LT3800 SGND c1 3.9nf c9 1nf C3 100pF C2 1nF C6 47pF R2 154k 1% R1 49.9k 1% R5 47k D2 1N4148 r4 51k R3 27k R 一个 1M R B 187k R S 0.02 Ω D1 BAS19 c5 1 µ F 10v x7r c4 1 µ F 10v x7r C8 22 µ F × 3 C7 100 µ F × 2 M1 Si7884DP M2 Si7884DP DS1 SS14 L1 10 µ H V 在 9v 至 38v V 输出 5v 在 6a 3800 ta05a c7: tdk c4532x5r0j107mt c8: tdk c5750x7r1e226mt l1: ihlp-5050fd-01 9v-38v 至 5v 6a 直流/直流转换器和所有陶瓷的电容, 输入 uvlo, burst 模式运作和电流限制 foldback 效率和电源丧失 I 加载 (一个) 70 效率 (%) 电源丧失 (w) 80 85 95 100 0.001 0.1 1 10 3800 ta05b 60 0.01 90 75 65 0.80 1.60 2.00 2.80 3.20 0 2.40 1.20 0.40 V 在 = 13.8v

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