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ltc1628/ltc1628-pg
1628fb
EXTV
CC
管脚 连接). consequently, 逻辑-水平的
门槛 mosfets 必须 是 使用 在 大多数 产品.
这 仅有的 例外 是 如果 低 输入 电压 是 预期的
(v
在
< 5v); 然后, sub-逻辑 水平的 门槛 mosfets
(v
gs(th)
< 3v) 应当 是 使用. 支付 关闭 注意 至 这
BV
DSS
规格 为 这 mosfets 作 好; 大多数 的 这
逻辑 水平的 mosfets 是 限制 至 30v 或者 较少.
选择 criteria 为 这 电源 mosfets 包含 这 “on”
阻抗 r
ds(在)
, 反转 转移 电容 c
RSS
,
输入 电压 和 最大 输出 电流. 当 这
ltc1628 是 运行 在 持续的 模式 这 职责 循环
为 这 顶 和 bottom mosfets 是 给 用:
主要的 转变职责 循环
V
V
输出
在
=
同步的 转变职责 循环
VV
V
在 输出
在
=
–
这 场效应晶体管 电源 dissipations 在 最大 输出
电流 是 给 用:
P
V
V
IR
kV I C f
主要的
输出
在
最大值 DS 在
在 最大值 RSS
=
()
+
()
+
()( )( )()
2
2
1
δ
()
P
VV
V
IR
同步
在 输出
在
最大值 DS 在
=
()
+
()
–
()
2
1
δ
在哪里
δ
是 这 温度 dependency 的 r
ds(在)
和 k
是 一个 常量 inversely related 至 这 门 驱动 电流.
两个都 mosfets 有 i
2
r losses 当 这 topside n-频道
等式 包含 一个 额外的 期 为 转变 losses,
这个 是 最高的 在 高 输入 电压. 为 v
在
< 20v 这
高 电流 效率 一般地 改进 和 大
mosfets, 当 为 v
在
> 20v 这 转变 losses 迅速
增加 至 这 要点 那 这 使用 的 一个 高等级的 r
ds(在)
设备
和 更小的 c
RSS
的确 提供 高等级的 效率. 这
同步的 场效应晶体管 losses 是 greatest 在 高 输入
电压 当 这 顶 转变 职责 因素 是 低 或者 在 一个
短的-电路 当 这 同步的 转变 是 在 关闭 至
100% 的 这 时期.
这 期 (1+
δ
) 是 一般地 给 为 一个 场效应晶体管 在 这 表格
的 一个 normalized r
ds(在)
vs 温度 曲线, 但是
δ
= 0.005/
°
c 能 是 使用 作 一个 approximation 为 低
电压 mosfets. c
RSS
是 通常地 指定 在 这 mos-
场效应晶体管 特性. 这 常量 k = 1.7 能 是 使用 至
估计 这 contributions 的 这 二 条款 在 这 主要的
转变 消耗 等式.
这 肖特基 二极管 d1 显示 在 图示 1 conducts 在
这 dead-时间 在 这 传导 的 这 二 电源
mosfets. 这个 阻止 这 身体 二极管 的 这 bottom
场效应晶体管 从 turning 在, storing 承担 在 这 dead-
时间 和 需要 一个 反转 恢复 时期 那 可以
费用 作 更 作 3% 在 效率 在 高 v
在
. 一个 1a 至 3a
肖特基 是 一般地 一个 好的 compromise 为 两个都 regions
的 运作 预定的 至 这 相当地 小 平均 电流.
大 二极管 结果 在 额外的 转变 losses 预定的 至
它们的 大 接合面 电容.
C
在
和 c
输出
选择
这 选择 的 c
在
是 simplified 用 这 multiphase archi-
tecture 和 它的 impact 在 这 worst-情况 rms 电流
描绘 通过 这 输入 网络 (电池/fuse/电容).
它 能 是 显示 那 这 worst 情况 rms 电流 occurs
当 仅有的 一个 控制 是 运行. 这 控制 和
这 最高的 (v
输出
)(i
输出
) 产品 needs 至 是 使用 在 这
formula 在下 至 决定 这 最大 rms 电流
必要条件. 增加 这 输出 电流, 描绘 从
这 其它 输出-的-阶段 控制, 将 的确 decrease
这 输入 rms 波纹 电流 从 这个 最大 值
(看 图示 4). 这 输出-的-阶段 技巧 典型地 re-
duces 这 输入 电容’s rms 波纹 电流 用 一个 因素
的 30% 至 70% 当 对照的 至 一个 单独的 阶段 电源
供应 解决方案.
这 类型 的 输入 电容, 值 和 等效串联电阻 比率 有
效率 影响 那 需要 至 是 考虑 在 这 selec-
tion 处理. 这 电容 值 选择 应当 是
sufficient 至 store 足够的 承担 至 保持 高 顶峰
电池 电流 向下. 20
µ
f 至 40
µ
f 是 通常地 sufficient
为 一个 25w 输出 供应 运行 在 200khz. 这 等效串联电阻 的
这 电容 是 重要的 为 电容 电源 消耗
作 好 作 整体的 电池 效率. 所有 的 这 电源 (rms
波纹 电流 • 等效串联电阻) 不 仅有的 heats 向上 这 电容 但是
wastes 电源 从 这 电池.
APPLICATIOs i 为 atio
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