ds2762 高-精确 li+ 电池 监控 with alerts
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温度 中断 高 门槛
地址 84
s 2
6
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5
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4
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3
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1
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0
msb lsb
单位: 1.0°c
温度 alarm 低 门槛
地址 85
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msb lsb
单位: 1.0°c
电源 转变 输入
这 ds2762 提供 一个 电源 控制 函数 那 使用 这 释放 保护 场效应晶体管 至 门 电池 电源 至 这
系统. 这
PS
管脚, 内部 牵引的 至 v
DD
通过 一个 1
一个 电流 源, 是 continuously 监控 为 一个 低-
阻抗 连接 至 v
SS
. 如果 这 ds2762 是 在 睡眠 模式, 这 发现 的 一个 低 在 这
PS
管脚 导致 这
设备 至 转变 在 起作用的 模式, turning 在 这 释放 场效应晶体管. 如果 这 ds2762 是 already 在 起作用的 模式, activity
在
PS
有 非 效应 其它 比 这 闭锁 的 它的 逻辑 低 水平的 在 这
PS
位 在 这 特定的 特性 寄存器. 这
读 的 一个 0 在 这
PS
位 应当 是 立即 followed 用 writing 一个 1 至 这
PS
位 至 确保 那 一个 subsequent
低 强迫 在 这
PS
管脚 是 latched 在 这
PS
位.
记忆
这 ds2762 有 一个 256-字节 直线的 地址 空间 和 寄存器 为 仪器, 状态, 和 控制 在 这 更小的
32 字节, 和 lockable 可擦可编程只读存储器 和 sram 记忆 occupying portions 的 这 remaining 地址 空间. 所有
可擦可编程只读存储器 记忆 是 一般 目的 除了 地址 30h, 31h, 和 33h, 这个 应当 是 写 和 这
default 值 为 这 保护 寄存器, 状态 寄存器, 和 电流 补偿 寄存器, 各自. 所有 sram 记忆
是 一般 目的. 当 这 msb 的 任何 二-字节 寄存器 是 读, 两个都 这 msb 和 lsb 是 latched 和 使保持 为
这 持续时间 的 这 读 数据 command 至 阻止 updates 在 这 读 和 确保 同步 在
这 二 寄存器 字节. 为 consistent 结果, 总是 读 这 msb 和 这 lsb 的 一个 二-字节 寄存器 在 这
一样 读 数据 command sequence.
可擦可编程只读存储器 记忆 是 shadowed 用 内存 至 eliminate 程序编制 延迟 在 写 和 至 准许 这 数据 至
是 核实 用 这 host 系统 在之前 正在 copied 至 可擦可编程只读存储器. 所有 读 和 写 至/从 可擦可编程只读存储器 记忆
的确 进入 这 shadow 内存. 在 unlocked 可擦可编程只读存储器 blocks, 这 写 数据 command updates shadow 内存. 在
锁 可擦可编程只读存储器 blocks, 这 写 数据 command 是 ignored. 这 copy 数据 command copies 这 内容 的
shadow 内存 至 可擦可编程只读存储器 在 一个 unlocked 块 的 可擦可编程只读存储器 但是 有 非 效应 在 锁 blocks. 这 recall-数据
command copies 这 内容 的 一个 块 的 可擦可编程只读存储器 至 shadow 内存 regardless 的 whether 这 块 是 锁 或者
不.
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