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s3a-s3m, rev.
C
s3a-s3m

2001 仙童 半导体 公司
一般 目的 整流器
(持续)
典型 特性
50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
L
ead
温度 [ºc]
平均 调整的 向前 电流, i
F
[A]
单独的 阶段
HAlf 波
60HZ
resistive 或者
inductive 加载
p.c.b. moUNTED
在 0.3x 0.3"
(8.0x8.0mm)
铜 垫子 areas
0 20406080100120140
0.1
1
10
100
R
everse
V
oltage, v
R
[V]
反转 电流, i
R
[mA]
t   = 125  c
º
一个
t   = 25  c
º
一个
12 51020 50100
0
20
40
60
80
100
120
号码 的 循环 在 60hz
顶峰 向前 surge 电流, i
FSM
[A]
8.3mm 单独的 half sine-波
电子元件工业联合会 方法
0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3
0.01
0.1
1
10
100
向前 电压, v
F
[V]
向前 电流, i
F
[A]
t   = 25  c
º
J
脉冲波 宽度 = 300
µ
µµ
µ
s
2% 职责 循环
1 5 10 50 100
5
10
50
100
反转 电压, v
R
[V]
总的 电容, c
T
[pF]
t   = 25  c
º
J
图示 1. 向前 电流 减额 曲线
图示 2. 向前 电压 特性
图示 3. 非-repetitive surge 电流                图示 4. 反转 电流 vs 反转 电压
图示 5. 总的 电容

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s3a-s3m, rev. C s3a-s3m  2001 仙童半导体公司一般目的整流器 (持续) 典型特性 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 L ead 温度 [ºc] 平均调整的向前电流, i F [A] 单独的阶段 HAlf 波 60HZ resistive 或者 inductive 加载 p.c.b. moUNTED 在 0.3x 0.3" (8.0x8.0mm) 铜垫子 areas 0 20406080100120140 0.1 1 10 100 R everse V oltage, v R [V] 反转电流, i R [mA] t = 125 c º 一个 t = 25 c º 一个 12 51020 50100 0 20 40 60 80 100 120 号码的循环在 60hz 顶峰向前 surge 电流, i FSM [A] 8.3mm 单独的 half sine-波电子元件工业联合会方法 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2 1.3 0.01 0.1 1 10 100 向前电压, v F [V] 向前电流, i F [A] t = 25 c º J 脉冲波宽度 = 300 µ µµ µ s 2% 职责循环 1 5 10 50 100 5 10 50 100 反转电压, v R [V] 总的电容, c T [pF] t = 25 c º J 图示 1. 向前电流减额曲线图示 2. 向前电压特性图示 3. 非-repetitive surge 电流图示 4. 反转电流 vs 反转电压图示 5. 总的电容

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