slus564b −july 2003 − 修订 12月 2003
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应用 信息
overcurrent 保护
Overcurrent保护 (ocp) 是 达到 用 comparing 这 流 至 源 电压 的 这 高-一侧 和 低-一侧
场效应晶体管 至 一个设置 要点 电压. 这个 电压 呈现 在 这 tripx 管脚 和 是 定义 用 这 转换 电压,
典型地 vin, minus 这 i
×
r 漏出 的 这 i
TRIP
电流 流 通过 这 外部 电阻 连接 至 这
转换电压. 这 补偿 的 这 内部的 comparators 也 plays 一个 role 在 determining 这 整体的 精度
和 设置 要点 的 这 ocp 限制.
当 这 流-至-源 电压 的 这 同步的 场效应晶体管 超过 这 设置 要点 电压 创建 用 这
I
×
r 漏出 (通常地 20 mv 至 周围 150 mv), 这 同步的 场效应晶体管 在-时间 是 扩展 在 这 next 脉冲波
和 这 高-一侧 场效应晶体管 ocp 比较器 是 使能. 如果 在 这 subsequent 高-一侧 在-时间 这
流-至-源 电压 的 这 高-一侧 场效应晶体管 超过 这 设置 要点 电压, 然后 这 高-一侧 on-time
脉冲波 是terminated. 这个 低-一侧 extension/高-一侧 末端 action 有 这 效应 的 减少 这 输出
电压直到 这 uvp 电路 是 使活动 至转变 止 两个都这 高-一侧 和 低-一侧 驱动器. 这 tps51020 i
TRIP
电流 有 一个 温度 系数 的 4200 ppm/
°
c.
这 门槛 电压 为 这 ocp 比较器 是 设置 用 i
×
r 漏出 横过 这 trip 电阻. 这 i
TRIP
电流 是
12.5-
µ
一个 (典型值) 在 r.t. 所以 那 这 ocp 要点 是 给 用 下列的 formula,
R
TRIP
R
ds(在)
I
OCP
I
波纹
2
12.5
10
6
Precaution应当 是 带去 和 板 布局 在 顺序 至 设计 ocp 要点 作 desired. 这 转换 电压
要点 必须 避免 高 电流 path.任何 电压 区别 在 这 转换 要点 和 vin 输入 为 这
tps51020 是 包含 在 这 门槛 电压. vin 平面 布局 应当 考虑 这 其它 途径
高-电流 path 作 好.
一个 brief discussion 是 必需的 为 trip2 函数. 当 trip2 是 连接, 通过 一个 电阻 至 地,仅有的 低-一侧
ocp 是 使用. 这个 是 这 情况 为 cascade 配置 被 选择. 在 这个 模式, uvp 做 不 播放 一个 滚动
在 这 shut 止 action 和 那里是 仅有的 一个 短的 延迟 在 这 在 电流 触发 水平的 被 hit 和 这 电源
mosfets 转变 止. 不管怎样, 作 和 uvp, 这 sstrtx 管脚 是 释放 和 两个都 smps 变得 though 一个
重新开始.
布局 仔细考虑
在下 是 一些 点 至 考虑 在之前 这 布局 的 这 tps51020 设计 begins.
信号 地 和 电源 地 应当 是 分开的 作 更 作 可能, 和 一个 单独的 要点 连接
在 它们.
所有 敏感的 相似物 组件 此类 作 inv, sstrt, skip, ddr, 地, ref_x, enbl 和 pgood
应当 是 涉及 至 信号 地 和 是 作 短的 作 可能.
这 源 的 低-一侧 场效应晶体管, 这 肖特基 二极管 anode, 这 输出 电容 和 outgnd 应当 是
关联 至电源 地 和 是 作 短的 和 宽 作 可能, 否则 信号 地 是 主题 至 这 噪音
的 这 输出.
pcb 查出 定义 作 这 node 的 ll 应当 是 作 短的 和 宽 作 可能.
连接 从 这 驱动器 至 这 门 的 这 电源 场效应晶体管 应当 是 作 短的 和 宽 作 可能
至 减少 偏离 电感 和 这 噪音 在 这 ll node.
这 流 的 高-一侧 场效应晶体管, 这 输入 电容 和 这 trip 电阻 应当 是 作 短的 和 宽 作
可能. 为 噪音 减少, 一个 22-pf 电容 c
TRIP
能 是 放置 在 并行的 和 这 trip 电阻.
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