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2
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V
DR
I
Q
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在
(watts)
(15)
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(watts)
(16)
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36.51
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(18)
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I
Q
2
Q
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(hz)
(19)
BOOST 二极管
低 电压 运作
GROUNDING 和 板 布局
TPS40070
TPS40071
SLUS582F–12月 2003–修订 二月 2006
应用 信息 (持续)
•
V
DR
是 这 驱动器 输出 电压
和 这 总的 电源 消耗 在 这 tps4007x, 假设 这 一样 场效应晶体管 是 选择 为 两个都 这 高-一侧
和 同步的 整流器 是 描述 在 等式 15.
或者
在哪里:
•
I
Q
是 这 安静的 运行 电流 (neglecting 驱动器)
这 最大 电源 能力 的 这 TPS4007x PowerPAD 包装 是 依赖 在 这 布局 作 好 作 空气
流动. 这 热的 阻抗 从 接合面 至 空气 假设 2-oz. 铜 查出 和 热的 垫子 和 焊盘 和
非 空气 流动 是 看 teh 应用 report 加标题
PowerPAD Thermally 增强 包装
(slma002) 为 详细地
信息 在 PowerPAD 包装 挂载 和 用法.
这 最大 容许的 包装 电源 消耗 是 related 至 包围的 温度 用 等式 18.
Substituting 等式 18 在 等式 17 和 solving 为 f
SW
产量 这 最大 运行 频率 为 这
tps4007x. 这 结果 是 描述 在 等式 19.
这 TPS4007x 序列 有 内部的 二极管 至 承担 这 boost 电容 连接 从 SW 至 boost. 这 漏出
横过 这个 二极管 是 相当 大 在 1.4-v 名义上的 在 房间 温度. 如果 这个 漏出 是 too 大 为 一个 particular
应用, 一个 外部 二极管 将 是 连接 从 DBP (anode) 至 BOOST (cathode). 这个 提供
significantly 改进 门 驱动 为 这 高 一侧 场效应晶体管, 特别 在 更小的 输入 电压.
如果 这 可编程序的 UVLO 是 设置 至 较少 比 6.5 V 名义上的, 连接 一个 330-k
Ω
电阻 横过 这 软-开始
电容. 这个 排除 一个 race 情况 inside 这 设备 那 能 含铅的 至 一个 输出 电压 越过 在
电源 向下 的 这 部分. 如果 运作 是 预期的 在下 -10°c 包围的 温度 和 在 较少 比 5-v 输入, 它
是 推荐 那 一个 二极管 是 连接 从 LVBP 至 dbp. (看 图示 16).
这 TPS4007x 提供 独立的 信号 地面 (sgnd) 和 电源 地面 (pgnd) 管脚. 小心 应当 是 给
至 恰当的 分离 的 这 电路 grounds. 各自 地面 应当 组成 的 一个 平面 至 降低 它的 阻抗 如果
可能. 这 高 电源
嘈杂的
电路 此类 作 这 输出, 同步的 整流器, 场效应晶体管 驱动器 解耦
电容 (dbp), 和 这 输入 电容 应当 是 连接 至 PGND 平面.
敏感的 nodes 此类 作 这 FB 电阻 分隔物 和 RT 应当 是 连接 至 这 SGND 平面. 这 SGND
平面 应当 仅有的 制造 一个 单独的 要点 连接 至 这 PGND 平面. 它 是 建议的 那 这 SGND 管脚 是 系
至 这 铜 范围 为 这 PowerPAD underneath 这 碎片. 系 这 PGND 至 这 PowerPAD 铜 范围 作 好
和 制造 这 连接 至 这 电源 电路 地面 从 这 PGND 管脚. 涉及 这 输出 电压 分隔物 至
这 SGND 管脚.
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