电源 消耗 和 布局 indications stv8162 - stv8162d
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5 电源 消耗 和 布局 indications
这 电源 是 mainly dissipated 用 这 三 设备 缓存区. 它 能 是 计算 用 这 等式:
p = (v
IN1
-v
OUT1
) x i
OUT1
+ (v
IN2
-v
OUT2
) x i
OUT2
+ (v
IN3
-v
OUT3
) x i
OUT3
这 下列的 表格 lists 这 不同的 r
thJA
值 的 这些 包装 和 或者 没有 一个 热温 下沉 和
这 相应的 最大 电源 消耗 假设:
●
最大 包围的 温度 = 70° c
●
最大 接合面 温度 = 140° c
设备 热温 下沉
R
thJA
在 °c/w P
最大值
在 w
STV8162
非 50 1.4
Ye s 1 5 4 . 6
STV8162D
非 56 至 40 1.25 至 1.75
Ye s 3 2 2 . 2
图示 7: 热的 阻抗 (接合面-至-包围的) 的 dip18 包装 没有 热温 下沉
图示 8: metal 加设护板 挂载 near 这 stv8162d 为 热温 sinking
铜 范围 (cm²) (35 µm 加 焊盘) 板 是 面向-向下
至 优化 这 热的 conductivity 的 这 铜
layer 和 这 exchanges 和 这 空气, 这 焊盘
必须 覆盖 这 最大 数量 的 这个 范围.
60
rthja °c/w
40
50
10 120
55
45
24 8
6
测试 板 和
“on board” 正方形的 热温 下沉 范围.
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