nand01g-b, nand02g-b, nand04g-b, nand08g-b
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表格 2. 产品 描述
1. 双 消逝 设备 仅有的
2. x16 organization 仅有的 有 为 mcp
图示 2. 逻辑 块 图解
涉及 部分 号码 密度
总线
宽度
页
大小
块
大小
记忆
排列
运行
Voltage
Timings
包装
随机的
进入
(最大值)
Sequential
进入
(最小值)
页
程序
(典型值)
块
擦掉 (典型值)
nand01g-b
NAND01GR3B
1Gbit
x8
2048+64
字节
128K+4K
字节
64 页 x
1024 blocks
1.7 至 1.95v 25µs 60ns 300µs
2ms
TSOP48
VFBGA63
NAND01GW3B 2.7 至 3.6v 25µs 50ns 300µs
NAND01GR4B
x16
(2)
1024+32
Words
64K+2K
Words
1.7 至 1.95v 25µs 60ns 300µs
NAND01GW4B 2.7 至 3.6v 25µs 50ns 300µs
nand02g-b
NAND02GR3B
2Gbit
x8
2048+64
字节
128K+4K
字节
64 页 x
2048 blocks
1.7 至 1.95v 25µs 60ns 300µs
2ms
TSOP48
TFBGA63
(1)
NAND02GW3B 2.7 至 3.6v 25µs 50ns 300µs
NAND02GR4B
x16
(2)
1024+32
Words
64K+2K
Words
1.7 至 1.95v 25µs 60ns 300µs
NAND02GW4B 2.7 至 3.6v 25µs 50ns 300µs
nand04g-b
NAND04GR3B
4Gbit
x8
2048+64
字节
128K+4K
字节
64 页 x
4096 blocks
1.7 至 1.95v 25µs 60ns 300µs
2ms TSOP48
NAND04GW3B 2.7 至 3.6v 25µs 50ns 300µs
NAND04GR4B
x16
(2)
1024+32
Words
64K+2K
Words
1.7 至 1.95v 25µs 60ns 300µs
NAND04GW4B 2.7 至 3.6v 25µs 50ns 300µs
nand08g-b
NAND08GR3B
8Gbit
x8
2048+64
字节
128K+4K
字节
64 页 x
8192 blocks
1.7 至 1.95v 25µs 60ns 300µs
2ms TSOP48
NAND08GW3B 2.7 至 3.6v 25µs 50ns 300µs
NAND08GR4B
x16
(2)
1024+32
Words
64K+2K
Words
1.7 至 1.95v 25µs 60ns 300µs
NAND08GW4B 2.7 至 3.6v 25µs 50ns 300µs
地址
寄存器/计数器
Command
接口
逻辑
p/e/r 控制,
高 电压
发生器
WP
i/o 缓存区 &放大; latches
i/o8-i/o15, x16
E
W
AI09373b
R
y 解码器
页 缓存区
与非 flash
记忆 排列
x 解码器
i/o0-i/o7, x8/x16
command 寄存器
CL
AL
cache 寄存器
RB
PRL
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