NCP4330
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low−side 驱动器 平台
这 定时 图解 的 页 2 portrays 这 sequencing
驱动 用 这 ncp4330.
这 low−side 驱动 是 控制 用 一个 内部的
比较器 那比较 这 c_ramp电压 至这 内部的
涉及 2.5 v (1.0 v hysteresis). 当 这 c_ramp
超过 这 2.5 v 涉及, 这 比较器 转变 高
forcing 这 low−side 场效应晶体管 止. 100 ns 后来的, 这
high−side 场效应晶体管 switches 在.
当 一个重置 信号 是 应用 至 这 重置 管脚, 这 c_ramp
电容 是 grounded. 作 一个 consequence, 这 内部的
比较器转变 低 和 forces 这 low−side 场效应晶体管 在.
100 ns 后来的, 这 high−side 场效应晶体管 switches 止.
这 low−side 驱动 是 设计 至 驱动 在 和 止 一个 25 nc
门 承担 电源 场效应晶体管, 在 25 ns 典型.
1. low−side 场效应晶体管 转变 在:
在 名义上的 运作, 这 身体 二极管 是 already 在 当
这 low−side 场效应晶体管 转变 在. 这 活力 qg 至 是
有提供的 是 然后 大概 half 这 活力 需要 如果
这 流 源 电压 是 高.
这 需要 电流 能力 是 然后:
I
ls
在
1
2
*
25 nC
25 ns
, 那 是 500 毫安.
图示 28. low−side 场效应晶体管 转变 在
4.5010 m 4.5015 m 4.5020 m 4.5025 m 4.5030 m
时间 在 secs
−40.0
−20.0
0
20.0
40.0
ls_drv 在 伏特
0
4.00
8.00
12.0
16.0
irl 在 放大器
−1.50
500 m
2.50
4.50
6.50
i(l1) 在 放大器
−320
−240
−160
−80.0
0
vin1 在 伏特
0
20.0
40.0
60.0
80.0
v(vsn) 在 伏特
vin1
i(l1)
v(vsn)
irl
ls_drv
Vin
lind
ls_drv
I
Q
V
Q
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