NCP4330
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2. low−side 场效应晶体管 转变 止:
这 high−side 场效应晶体管 转变 在 关于 100 ns 之后 这
low−side 一个 是 切换 止. 在 这个 时间 当 两个都
switches 是 止, 这 身体 二极管 的 这 low−side 场效应晶体管
derives 这 inductor 电流 (在 名义上的 加载 情况,
当 这 coil 电流 是 积极的, i.e., 它 flows 对着 这
输出). 作 一个 结果, 这 ls 场效应晶体管 转变 止 当 它的
drain−source 电压 keeps 周围 零 预定的 至 它的 身体
二极管 触发.
又一次,这 活力 qg 至 是 有提供的 是 然后 大概
half 它的 值 如果 这 流 源 电压 是 高.
这 需要 电流 能力 是 然后:
I
ls
止
1
2
*
25 nC
25 ns
, 那 是 500 毫安.
高 dv/dt 出现 在 这 应用. 当 这 high−side
场效应晶体管转变 在, 这 drain−source 电压 的 这 low−side
场效应晶体管 sharply 增加, producing 一个 huge 电流
通过 这crss 电容. 这个 电流 将 生产 一些
parasitic转变 在 的 这 ls 场效应晶体管 如果 这 驱动器阻抗
是 不 低 足够的 至 absorb 这个 电流 没有 重大的
增加 的 这 驱动器 电压. 这 驱动器 电流 能力
有 然后被 增加 至 750 毫安 所以 那 它 能effectively
面向 一个 30 v 变化 在 10 ns 和 一个 场效应晶体管 exhibiting 一个
250 pf crss.
i(l1)
vin1
v(vsn)
irl
ls_drv
4.4990 m 4.4995 m 4.5000 m 4.5005 m 4.5010 m
时间 在 secs
Vin
lind
I
Q
V
Q
ls_drv
−40.0
−20.0
0
20.0
40.0
ls_drv 在 伏特
0
4.00
8.00
12.0
16.0
irl 在 放大器
−1.50
500 m
2.50
4.50
6.50
i(l1) 在 放大器
−320
−240
−160
−80.0
0
vin1 在 伏特
0
20.0
40.0
60.0
80.0
v(vsn) 在 伏特
图示 29. low−side 场效应晶体管 转变 止
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