半导体 组件 industries, llc, 2005
12月, 2005 −rev. 4
1
发行 顺序 号码:
1n6373/d
1n6373 − 1n6381 序列
(icte−5 − icte−36,
mpte−5 − mpte−45)
1500 watt 顶峰 电源
Mosorb
齐纳 瞬时
电压 suppressors
Unidirectional*
mosorb 设备 是 设计 至 保护 电压 敏感的
组件 从 高 电压, high−energy 过往旅客. 它们 有
极好的 夹紧 能力, 高 surge 能力, 低 齐纳
阻抗 和 快 回馈 时间. 这些 设备 是
在 半导体’s 独有的, 费用-有效的, 高级地 可依靠的
Surmetic
轴的 含铅的 包装 和 是 ideally-suited 为 使用 在
交流 系统, numerical 控制, 处理 控制,
medical 设备, 业务 machines, 电源 供应 和 许多
其它 工业的/消费者 产品, 至 保护 cmos, mos 和
双极 整体的 电路.
规格 特性
•
working 顶峰 反转 电压 范围 − 5.0 v 至 45 v
•
顶峰 电源 − 1500 watts @ 1 ms
•
静电释放 比率 的 类 3 (>16 kv) 每 人 身体 模型
•
最大 clamp 电压 @ 顶峰 脉冲波 电流
•
低 泄漏 < 5
一个 在之上 10 v
•
回馈 时间 是 典型地 < 1 ns
•
pb−free 包装 是Available*
机械的 特性
情况:
void-自由, 转移-模塑的, thermosetting 塑料
完成:
所有 外部 surfaces 是 corrosion resistant 和 leads 是
readily solderable
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的:
230
°
c, 1/16
″
从 这 情况 为 10 秒
极性:
cathode 表明 用 极性 带宽
挂载 位置:
任何
*For额外的 信息 在 我们的 pb−free strategy 和 焊接 详细信息, 请
下载 这 在 半导体 焊接 和 挂载 技巧
涉及 手工的, solderrm/d.
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格, 包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请 谈及 至 我们的 录音带 和 卷轴包装
规格 brochure, brd8011/d.
http://onsemi.com
轴的 含铅的
情况 41a
塑料
Cathode Anode
标记 图解
一个 = 组装 location
MPTE−xx = 在 设备 代号
1N63xx = 电子元件工业联合会 设备 代号
ICTE−xx = 在 设备 代号
YY = 年
WW = 工作 week
= pb−free 包装
(便条: microdot 将 是 在 也 location
)
一个
ICTE
−xx
YYWW
一个
MPTE
−xx
1N
63xx
YYWW
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
mpte−xx, g 轴的 含铅的
(pb−free)
500 单位/盒
mpte−xxrl4, g 轴的 含铅的
(pb−free)
1500/录音带 &放大; reel
icte−xx, g 轴的 含铅的
(pb−free)
500 单位/盒
icte−xxrl4, g 轴的 含铅的
(pb−free)
1500/录音带 &放大; reel
1n63xx, g 轴的 含铅的
(pb−free)
500 单位/盒
1n63xxrl4, g 轴的 含铅的
(pb−free)
1500/录音带 &放大; reel
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