绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
vin, RON 至 地 -0.3v 至 40V
SW 至 地 -0.3v 至 40V
SW 至 地 (瞬时) -2v (
<
100ns)
VIN 至 SW -0.3v 至 40V
BST 至 SW -0.3v 至 7V
所有 其它 输入 至 地 -0.3v 至 7V
静电释放 比率 (便条 2)
人 身体 模型
±
2kV
存储 温度 范围 -65˚c 至 +150˚C
接合面 温度 (t
J
) 150˚C
运行 比率
(便条 1)
供应 电压 范围 (vin) 4.5v 至 36V
接合面 温度 范围 (t
J
) −40˚C 至 + 125˚C
热的 阻抗 (
θ
JC
) (便条 3) 6.5˚c/w
电的 Charateristics
规格 和 标准 类型 是 为 T
J
= 25˚C 仅有的; 限制 在 黑体字 类型 ap-
ply 在 这 全部 运行 接合面 温度 (t
J
) 范围. 最小 和 最大 限制 是 有保证的 通过 测试, de-
sign, 或者 statistical correlation. 典型 值 代表 这 大多数 likely 参数 norm 在 T
J
= 25˚c, 和 是 提供 为 ref-
erence 目的 仅有的. 除非 否则 陈述 这 下列的 情况 应用: V
在
= 18v, V
输出
= 3.3v.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
开始-向上 调整器, V
CC
V
CC
V
CC
输出 电压 C
CC
= 680nf, 非 加载
5.0
6.0
7.2
V
V
在
-v
CC
V
在
-v
CC
落后 电压 I
CC
= 2mA 50
140
mV
I
CC
= 20mA 350
570
I
VCCL
V
CC
电流 限制 (便条 4) V
CC
=0V
40
65 毫安
V
cc-uvlo
V
CC
下面-电压 lockout 门槛
(uvlo)
V
在
增加
3.6
3.75
3.85
V
V
cc-uvlo-hys
V
CC
UVLO hysteresis V
在
减少 130 mV
t
vcc-uvlo-d
V
CC
UVLO 过滤 延迟 3 µs
I
在
I
在
运行 电流 非 切换, V
FB
= 1V 0.7
1
毫安
I
在-sd
I
在
运行 电流, 设备 关闭 V
EN
=0V 17
30
µA
切换 特性
R
ds-向上-在
主要的 场效应晶体管 rds(在) 0.18
0.35
Ω
R
ds- dn-在
syn. 场效应晶体管 rds(在) 0.11
0.2
Ω
V
g-uvlo
门 驱动 电压 UVLO V
BST
-v
SW
增加 3.3
4
V
软-开始
I
SS
SS 管脚 源 电流 V
SS
= 0.5v
6
8
9.8
µA
电流 限制
I
CL
syn. 场效应晶体管 电流 限制 门槛 1.9 一个
开关 计时器
t
在
在 计时器 脉冲波 宽度 V
在
= 10v, R
在
= 100 k
Ω
1.38 µs
V
在
= 30v, R
在
= 100 k
Ω
0.47
t
在-最小值
在 计时器 最小 脉冲波 宽度 200 ns
t
止
止 计时器 脉冲波 宽度 260 ns
使能 输入
V
EN
EN 管脚 输入 门槛 V
EN
rising
1.236
1.26
1.285
V
V
en-hys
使能 门槛 hysteresis V
EN
下落 90 mV
规章制度 和 在-电压 比较器
V
FB
在-规章制度 反馈 电压 V
SS
≥
0.8v
T
J
= −40˚C 至 + 125˚C
0.784
0.8
0.816
V
V
SS
≥
0.8v
T
J
= 0˚C 至 + 125˚C
0.788 0.812
V
fb-ov
反馈 在-电压 门槛
0.894
0.920
0.940
V
I
FB
5
100
nA
热的 关闭
T
SD
热的 关闭 温度 T
J
rising 165 ˚C
LM3100
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