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资料编号:1120878
 
资料名称:KHB011N40F1
 
文件大小: 71K
   
说明
 
介绍:
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
 
 


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2005. 10. 24 2/6
khb1d0n60d/i
修订 非 : 1
电的 特性 (ta=25 )
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
静态的
流-源 损坏 电压
BV
DSS
I
D
=250 一个, v
GS
=0V
600 - - V
损坏 电压 温度 系数
BV
DSS
/ T
j
I
D
=250 一个, 关联 至 25
- 0.65 -
v/
流 截-止 电流
I
DSS
V
DS
=600v, v
GS
=0v,
- - 10
一个
门 门槛 电压
V
th
V
DS
=V
GS
, i
D
=250 一个
2.0 - 4.0 V
门 泄漏 电流
I
GSS
V
GS
= 30v, v
DS
=0V
- -
100
nA
流-源 在 阻抗
R
ds(在)
V
GS
=10v, i
D
=0.5a
- 9.7 12
动态
总的 门 承担
Q
g
V
DS
=480v, i
D
=1.0a
V
GS
=10v (note4,5)
- 5.9 7.7
nC门-源 承担
Q
gs
- 1.0 -
门-流 承担
Q
gd
- 2.7 -
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
V
DD
=300V
R
L
=300
R
G
=25 (note4,5)
- 14 40
ns
转变-在 上升 时间
t
r
- 45 100
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 25 60
转变-止 下降 时间
t
f
- 35 80
输入 电容
C
iss
V
DS
=25v, v
GS
=0v, f=1.0mhz
- 165 215
pF反转 转移 电容
C
rss
- 3.6 4.7
输出 电容
C
oss
- 18 25
源-流 二极管 比率
持续的 源 电流
I
S
V
GS
<v
th
- - 1.0
一个
搏动 源 电流
I
SP
- - 3.0
二极管 向前 电压
V
SD
I
S
= 1.0a, v
GS
=0V
- - 1.4 V
反转 恢复 时间
t
rr
I
S
= 1.0a, v
GS
=0v,
dis/dt=100a/
s
- 180 - ns
反转 恢复 承担
Q
rr
- 0.47 -
C
便条 1) repetivity 比率 : 脉冲波 宽度 限制 用 接合面 温度.
便条 2) l =115mh, i
S
=1.0a, v
DD
=50v, r
G
= 25 , 开始 t
j
=25 .
便条 3) i
S
1.0a, di/dt 300a/ , v
DD
BV
DSS
, 开始 t
j
=25 .
便条 4) 脉冲波 测试 : 脉冲波 宽度
300 , 职责 循环 2%.
便条 5) essentially 独立 的 运行 温度.
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