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资料编号:1121009
 
资料名称:IS62C256AL
 
文件大小: 238K
   
说明
 
介绍:
32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
 
 


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整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
1-800-379-4774
13
rev. 一个
05/04/05
is61nlp25636a/is61nvp25636a
is61nlp51218a/is61nvp51218a
ISSI
®
电源 供应 特性
(1)
(在 运行 范围)
-250 -200
最大值 最大值
标识 参数 测试 情况
温度 范围 x18 x36 x18 x36 Uni
t
I
CC
交流 运行 设备选择, com. 280 280 270 270 毫安
供应 电流
OE
= v
IH
, zz
V
IL
, ind. 300 300 280 280
所有 输入
0.2v 或者
V
DD
– 0.2v,
循环 时间
t
KC
最小值
I
SB
备用物品 电流 设备 deselected, com. 100 100 100 100 毫安
ttl 输入 V
DD
= 最大值., ind. 100 100 100 100
所有 输入
V
IL
或者
V
IH
,
ZZ
V
IL
, f = 最大值
I
SBI
备用物品 电流 设备 deselected, com. 70 70 70 70 毫安
cmos 输入 V
DD
= 最大值., ind. 80 80 80 80
V
V
SS
+ 0.2v 或者
V
DD
– 0.2v
f = 0
I
SB
2
睡眠 模式 zz>v
IH
com. 45 45 45 45 毫安
ind. 50 50 50 50
便条:
1. 模式 管脚 有 一个 内部的 pullup 和 应当 是 系 至 v
DD
或者 v
SS
. 它 exhibits ±100µa 最大 泄漏 电流 当 系 至
V
SS
+ 0.2v 或者
V
DD
– 0.2v.
直流 电的 特性
(在 运行 范围)
3.3v 2.5v
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
V
OH
输出 高 电压 I
OH
= –4.0 毫安 (3.3v) 2.4 2.0 V
I
OH
= –1.0 毫安 (2.5v)
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 8.0 毫安 (3.3v) 0.4 0.4 V
I
OL
= 1.0 毫安 (2.5v)
V
IH
输入 高 电压 2.0 V
DD
+ 0.3 1.7 V
DD
+ 0.3 V
V
IL
输入 低 电压 –0.3 0.8 –0.3 0.7 V
I
LI
输入 泄漏 电流 V
SS
V
V
DD
(1)
–5 5 –5 5 µA
I
LO
输出 泄漏 电流 V
SS
V
输出
V
DDQ
,
OE
= v
IH
–5 5 –5 5 µA
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