整体的 硅 解决方案, 公司 — 1-800-379-4774
13
rev. 00A
08/11/05
ISSI
®
is61(64)lf12832a, is61(64)lf12836a, is61(64)lf25618a
is64vf12832a, is61(64)vf12836a, is61(64)vf25618a
电源 供应 特性
(1)
(在 运行 范围)
6.5
7.5
最大值 最大值
标识 参数 测试 情况
温度 范围 x18 x32/x36 x18 x32/x36 Uni
t
I
CC
交流 运行 设备 选择, com. 175 175 155 155 毫安
供应 电流
OE
= v
IH
, zz
≤
V
IL
, ind. 180 180 160 160
所有 输入
≤
0.2v 或者
≥
V
DD
– 0.2v, 一个
UTO
. 190 190 175 175
循环 时间
≥
t
KC
最小值 典型值
(2)
120 110
I
SB
备用物品 电流 设备 deselected, com. 90 90 90 90 毫安
ttl 输入 V
DD
= 最大值., ind. 100 100 100 100
所有 输入
≤
V
IL
或者
≥
V
IH
, 自动. 120 120 120 120
ZZ
≤
V
IL
, f = 最大值
I
SBI
备用物品 电流 设备 deselected, com. 70 70 70 70 毫安
cmos 输入 V
DD
= 最大值., ind. 75 75 75 75
V
在
≤
V
SS
+ 0.2v 或者
≥
V
DD
– 0.2v 自动. 90 90 90 90
f = 0 典型值 40 40
I
SB
2
睡眠 模式 zz>v
IH
com. 30 30 30 30 毫安
ind. 35 35 35 35
自动. 45 45 45 45
典型值 25 25
便条:
1. 模式 管脚 有 一个 内部的 pullup 和 应当 是 系 至 v
DD
或者 v
SS
. 它 exhibits ±100 µa 最大 泄漏 电流 当 系 至
≤
V
SS
+ 0.2v 或者
≥
V
DD
– 0.2v.
2. 典型 值 是 量过的 在 v
DD
= 3.3v, t
一个
= 25
o
c 和 不 100% 测试.
电容
(1,2)
标识 参数 情况 最大值 单位
C
在
输入 电容 V
在
= 0v 6 pF
C
输出
输入/输出 电容 V
输出
= 0v 8 pF
注释:
1. 测试 initially 和 之后 任何 设计 或者 处理 改变 那 将 影响 这些 参数.
2. 测试 情况: t
一个
= 25°c, f = 1 mhz, v
DD
= 3.3v.
: 点此下载
