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fn9168.1
january 18, 2006
这 最大 v
OUT2
电压 允许 是 决定 用
一些 factors: 这 电源 dissipation, 作 描述 早期;
这 输入 电压 有, 这 ldo_dr 电压, 和 这
场效应晶体管 选择. 这 电压 能’t 是 任何 高等级的 比 这 输入
电压 有, 和 这 最大值 v
IN2
是 12v (13.2v 为 一个
±10% 供应). 这 ldo_dr 电压 是 驱动 从 这
vcc12 栏杆; 准许 为 头上空间, 这 典型 最大
电压 是 11v (更小的 作 vcc12 变得 至 它的 最小 的
10.8v). 所以 这 最大 输出电压 将 是 在 least 一个
V
GS
漏出 (这个 包含 这 场效应晶体管 门槛 电压) 在下
这 11v, 在 这 最大 加载 电流; 一些 额外的
头上空间 是 通常地 需要 至 handle 瞬时 情况.
所以 一个 实际的 典型 值 周围 8v 将 是 可能, 但是
remember 至 也 因素 在这 变化 为 worst 情况
情况 在 v
IN2
和 这 场效应晶体管 参数. 作 长 作 这
V
IN2
是 低 足够的 此类 那 头上空间 相比 vcc12 是 不
一个 问题, 然后 这 最大 输出放 电压 是 just 在下
V
IN2
, 为基础 在 这 r
ds(在)
漏出 在 最大 电流.
这 输入 供应 为 v
IN2
能 也 是 任何 有 供应
较少 比 12v, 主题 至 这 仔细考虑 在之上. 这 流-
源 损坏 电压 的 这 场效应晶体管 应当 是 更好 比
这 v
IN2
电压. 这 场效应晶体管’s 门-源 比率 应当 是
更好 比 12v (甚至 though 这 输出 电压 将 不
需要 此类 一个 高 门 电压, 加载 过往旅客 或者 其它
干扰 might 强迫 ldo_dr 至 短促地 approach
12v). 这 场效应晶体管 门槛 是 不 核心的, 除了 为 这 具体情况
在哪里 这 ldo_dr 头上空间 是 diminished. 和 最终, 这
包装 (和 板 范围 允许) 必须 是 能 至 handle
这 最大 电源 消耗 预期的.
应用 指导原则
布局 仔细考虑
布局 是 非常 重要的 在 高 频率 切换
转换器 设计. 和 电源 devices 切换efficiently 在
600khz, 这 结果 电流 transitions 从 一个 设备 至
另一 导致 电压 尖刺 横过 这 interconnecting
阻抗 和 parasitic 电路 elements. 这些 电压
尖刺 能 降级 效率, radiate 噪音 在 这 电路,
和 含铅的 至 设备 超（电）压 压力. 细致的 组件
布局 和 打印 电路 板 设计 降低 这 电压
尖刺 在 这 转换器.
作 一个 例子, 考虑 这 转变-止 转变 的 这 pwm
upper 场效应晶体管. 较早的 至 转变-off, 这 场效应晶体管 是 carrying
这 全部 加载 电流. 在 转变-止, 电流 stops 流 在
这 upper 场效应晶体管 和 是 picked 向上 用 这 更小的 场效应晶体管
和 parasitic 二极管. 任何 parasitic 电感 在 这 切换
电流 path 发生 一个 large 电压 尖刺 在 这
切换 间隔. 细致的 组件 选择, tight 布局
的 这 核心的 组件, 和 短的, 宽 查出 降低
这 巨大 的 电压 尖刺.
那里 是 二 sets 的 核心的组件 在 一个 直流/直流 转换器
使用 这 isl6549. 这 切换 组件 是 这 大多数
核心的 因为 它们 转变大 amounts 的 活力, 和
因此 tend 至 发生 大 amounts 的 噪音. next 是 这
小 信号 组件 这个 连接 至 敏感的 nodes 或者
供应 核心的 绕过 电流 和 信号 连接.
一个 multilayer 打印 电路 板 是 推荐. 图示 13
显示 这 连接 的 这核心的 组件 在 这
转换器. 电容 c
在
和 c
输出
可以 各自 代表
numerous 物理的 电容. dedicate 一个 固体的 layer,
通常地 一个 middle layer 的 这 pc 板, 为 一个 地面 平面
和 制造 所有 核心的 组件 地面 连接 通过
vias 至 这个 layer. dedicate 另一 固体的 layer 作 一个 电源
平面 和 破裂 这个 平面 在 小 islands 的 一般
电压 水平. 保持 这 metal runs 从 这 阶段
终端 至 这 输出 inductor 短的. 这 电源 平面
应当 支持 这 输入和 输出 电源 nodes. 使用
铜 filled polygons 在 这 顶和 bottom 电路 layers 为
这 阶段 node. 使用 这 remaining 打印 电路 layers 为
小 信号 线路. 这 线路 查出 从 这 lgate 和
ugate 管脚 至 这 场效应晶体管 gates 应当 是 保持 短的 和
宽 足够的 至 容易地 handle 这 一些 放大器 的 驱动
电流.
这 核心的 小 信号 组件 包含 任何 绕过
电容, 反馈 组件, 和 补偿
组件. 位置 这 绕过 电容, c
4
, c
5
, 和 c
6
关闭 至 它们的 管脚 和 一个 local 地 连接, 或者 通过
直接地 至 这 地面 平面. r12 应当 是 放置 near
vcc5 和 pvcc5 管脚. fs_dis 电阻 r7 应当 是 near
这 fs-dis 管脚, 和 它的 地 re转变 应当 是 短的, 和 保持
away 从 这 嘈杂的 场效应晶体管 地. 放置 这 pwm 转换器
补偿 组件 关闭 至 这 fb 和 竞赛 管脚.
这 反馈 电阻器 为 两个都 regulators 应当 也 是
located 作 关闭 作 可能 至这 相关的 fb 管脚 和 vias
系 笔直地 至 这 地面 平面 作 必需的.
然后 这 切换 组件 应当 是 放置 关闭 至
这 isl6549. 降低 这 长度 的 这 连接
在 这 输入 电容, c
在
, 和 这 电源 switches
用 放置 它们 nearby. 位置 两个都 这 陶瓷的 和 大(量)
输入 电容 作 关闭 至 这 upper 场效应晶体管 流 作
可能, 和 制造 这 地 re转变 (从 更小的 场效应晶体管 源
至 vin cap 地) 短的. position 这 输出 inductor 和
输出 电容 在 这 upper 场效应晶体管 和 更小的
场效应晶体管 和 这 加载.
ISL6549
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