14
转换器’s 波纹 电流 和 这 波纹 电压 是 一个 函数
的 这 波纹 电流. 这 波纹 电压 和 电流 是
近似 用 这 下列的 equations:
增加 这 值 的 电感 减少 这 波纹 电流
和 电压. 不管怎样, 这 大 电感 值 减少
这 转换器’s 回馈 时间 至 一个 加载 瞬时.
一个 的 这 参数 限制的 这 转换器’s 回馈 至 一个
加载 瞬时 是 这 时间 required 至 改变 这 inductor
电流. 给 一个 sufficiently 快 控制 循环 设计, 这
isl6532c 将 提供 也 0% 或者 100% 职责 循环 在
回馈 至 一个 加载 瞬时. 这 回馈 时间 是 这 时间
必需的 至 回转 这 inductor 电流 从 一个 最初的 电流
值 至 这 瞬时 电流 水平的. 在 这个 间隔 这
区别 在 这 inductor电流 和 这 瞬时
电流 水平的 必须 是 有提供的 用 这 输出 电容.
降低 这 回馈 时间 能 降低 这 输出
电容 必需的.
这 回馈 时间 至 一个 瞬时 是 不同的 为 这
应用 的 加载 和 这 除去 的 加载. 这 下列的
equations 给 这 近似的 回馈 时间 间隔 为
应用 和 除去 的 一个 瞬时 加载:
在哪里: i
TRAN
是 这 瞬时 加载 电流 步伐, t
上升
是 这
回馈 时间 至 这 应用 的 加载, 和 t
FALL
是 这
回馈 时间 至 这 除去 的 加载. 这 worst 情况
回馈 时间 能 是 也 在 这 应用 或者 除去 的
加载. 是 确信 至 审查 两个都 的 这些 equations 在 这
最小 和 最大 输出水平 为 这 worst 情况
回馈 时间.
输入 电容 选择 - pwm buck 转换器
使用 一个 混合 的 输入 绕过 电容 至 控制 这 电压
越过 横过 这 mosfets. 使用 小 陶瓷的
电容 为 高 频率 解耦 和 大(量) 电容
至 供应 这 电流 需要 each 时间 这 upper 场效应晶体管
转变 在. 放置 这 小 陶瓷的 电容 physically 关闭
至 这 mosfets 和 在 这 流 的 upper 场效应晶体管
和 这 源 的 更小的 场效应晶体管.
这 重要的 参数 为 这 大(量) 输入 电容 是
这 电压 比率 和 这 rms 电流 比率. 为 可依靠的
运作, 选择 大(量) capacitors 和 电压 和 电流
比率 在之上 这 最大 输入 电压 和 largest rms
电流 必需的 用 这 电路.它们的 电压 比率 应当 是
在 least 1.25 时间 更好 比 这 最大 输入 电压,
当 一个 电压 比率 的 1.5 时间 是 一个 conservative
指导原则. 为 大多数 具体情况, 这 rms 电流 比率
必要条件 为 这 输入 capacitor 的 一个 buck 调整器 是
大概 1/2 这 直流 加载 电流.
这 最大 rms 电流 必需的 用 这 调整器 将 是
closely 近似 通过 这 下列的 等式:
为 一个 通过 孔 设计, 一些 electrolytic 电容
将 是 需要. 为 表面 挂载 设计, 固体的 tantalum
电容 能 是 使用, 但是 提醒 必须 是 exercised 和
关于 至 这 电容 surge 电流 比率. 这些
电容 必须 是 有能力 的 处理 这 surge-电流 在
电源-向上. 一些 电容 序列 有 从 reputable
manufacturers 是 surge 电流 测试.
场效应晶体管 选择 - pwm buck 转换器
这 isl6532c 需要 2 n-频道 电源 mosfets 为
切换 电源 和 一个 第三 场效应晶体管 至 块 backfeed 从
V
DDQ
至 这 输入 在 s3 模式. 这些 应当 是 选择
为基础 在之上 r
ds(在)
, 门 供应 (所需的)东西, 和 热的
管理 (所需的)东西.
在 高-电流 产品, 这 场效应晶体管 电源 消耗,
包装 选择 和 散热器 是 这 首要的 设计 factors.
这 电源 消耗 包含 二 丧失 组件;
传导 丧失 和 切换丧失. 这 conduction losses 是
这 largest 组件 的 电源 消耗 为 两个都 这 upper
和 这 更小的 mosfets. 这些 losses 是 distributed 在
这 二 mosfets 符合 至 职责 因素. 这 切换
losses seen 当 sourcing 电流 将 是 不同的 从 这
切换 losses seen当 sinking current. 当 sourcing
电流, 这 upper 场效应晶体管 realizes 大多数 的 这 切换
losses. 这 更小的 转变 realizes大多数 的 这 切换 losses
当 这 转换器 是 sinking 电流 (看 这 equations 在下).
这些 equations 假设 直线的 电压-电流 transitions 和
做 不 adequately 模型 电源 丧失 预定的 这 反转-恢复 的
这 upper 和 更小的 场效应晶体管’s 身体 二极管. 这 门-承担
losses 是 dissipated 在 部分 用 这 isl6532c 和 做 不
significantly 热温 这 mosfets. 不管怎样, 大 门-承担
增加 这 切换 间隔, t
SW
这个 增加 这
场效应晶体管 切换 losses. en确信 那 两个都 mosfets 是
在里面 它们的 最大 接合面 温度 在 高 包围的
温度 用 calculating 这 温度 上升 符合 至
包装 热的-阻抗 规格. 一个 独立的 散热器
将 是 需要 取决于 在之上 场效应晶体管 电源, 包装
类型, 包围的 温度 和 空气 流动.
∆
I=
V
在
- v
输出
fs x l
V
输出
V
在
∆
V
输出
=
∆
i x 等效串联电阻
x
t
上升
=
l x i
TRAN
V
在
- v
输出
t
FALL
=
l x i
TRAN
V
输出
I
RMS
最大值
V
输出
V
在
--------------
I
输出
最大值
2
1
12
------
V
在
V
输出
–
Lf
s
×
-----------------------------
V
输出
V
在
--------------
×
2
×
+
×
=
P
更小的
= io
2
x r
ds(在)
x (1 - d)
在哪里: d 是 这 职责 循环 = v
输出
/ v
在
,
t
SW
是 这 联合的 转变 在 和 止 时间, 和
f
s
是 这 切换 频率.
近似的 losses 当 sourcing 电流
近似的 losses 当 sinking 电流
P
更小的
Io
2
r
DS 在
()
×
1D
–
()×
1
2
---
Io
⋅
V
在
×
t
SW
f
s
××
+=
P
UPPER
Io
2
r
DS 在
()
×
D
×
1
2
---
Io
⋅
V
在
×
t
SW
f
s
××
+=
P
UPPER
= io
2
x r
ds(在)
x d
ISL6532C
: 点此下载
