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场效应晶体管 选择 - agp ldo
这 主要的 criteria 为 选择 的 这 直线的 调整器 通过
晶体管 是 包装 选择 为 效率高的 除去 的 热温.
选择 一个 包装 和 散热器 那 维持 这 接合面
温度 在下 这 比率 和 一个 最大 预期的
包围的 温度.
这 电源 dissipated 在 这 直线的 调整器 是:
在哪里 i
O
是 这 最大 输出 电流 和 v
输出
是 这
名义上的 输出 电压 的 这 直线的 调整器.
isl6532c 应用 电路
图示 8 显示 一个 应用电路 utilizing 这 isl6532c.
详细地 信息 在 这 电路, 包含 一个 完全 bill-
的-材料 和 电路 板 描述, 能 是 建立 在
应用 便条 an1056.
P
直线的
I
O
V
在
V
输出
–
()×≅
图示 8. ddr sdram 和 agp 电压 调整器 使用 这 isl6532c
10.0k
Ω
1
µ
F
5VSBY
UGATE
FB
竞赛
ISL6532C
C
17,18
LGATE
VCC12
VTT
VTT
+
V
TT
vref_在
vref_输出
VTTSNS
PGOOD
+3.3v
Q
4
+
V
DDQ
DRIVE2
FB2
V
DDQ
Q
1,3
2.5v 15a
最大值
+
+
Q
2,4
VCC5
NCH
OCSET
VDDQ
GNDQ
GNDP
GNDA
阶段
V
AGP
1.5v
V
REF
V
DDQ
Q
5
GNDQ
VDDQ
VDDQ
GNDP
5VSBY
P5VSBY
P12V
slp_s5
slp_s3
S5#
S3#
PGOOD
C
16
R
2
1
µ
F
L
1
2.1
µ
H
L
2
2.1
µ
H
4.99k
Ω
R
1
C
19
0.47
µ
F
C
22
1000pF
8.87k
Ω
R
7
C
6-8
C
9-12
1800
µ
F
22
µ
F
6.8nf
C
14
825
Ω
R
6
C
15
C
13
R
5
R
4
R
3
22.6
Ω
1.74k
Ω
19.1k
Ω
56nF
1000pF
680pF
C
25
R
10
100k
Ω
R
9
287
Ω
R
8
249
Ω
220
µ
F
C
23
1
µ
F
C
24
1.25v
+
V
DDQ
C
20
220
µ
F
C
21
220
µ
F
C
26
0.1
µ
F
C
27
0.1
µ
F
C
1-3
2200
µ
F
C
4,5
1
µ
F
ISL6532C
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