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所有 intersil 半导体 产品 是 制造的, 聚集 和 测试 下面
ISO9000
质量 系统 certification.
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传真: (886) 2 2715 3029
消逝 特性
消逝 维度:
大小: 2390
µ
m x 2390
µ
m (94 毫英寸 x 94 毫英寸)
厚度: 525
µ
m
±
25
µ
m (20.6 毫英寸
±
1 mil)
bond 垫子: 110
µ
m x 110
µ
m (4.3 x 4.3 毫英寸)
敷金属: ai
metal 1 厚度: 0.7
µ
m
±
0.1
µ
m
metal 2 厚度: 1.0
µ
m
±
0.1
µ
m
基质 潜在的:
unbiased 隔热
passivation:
类型: phosphorous 硅 glass (psg)
厚度: 1.30
µ
m
±
0.15
µ
m
特定的 说明:
bond v
CC
第一
额外的 信息:
worst 情况 电流 密度: <2.0 x 10
5
一个/cm
2
晶体管 计数: 82
敷金属 掩饰 布局
ACS04MS
Y1 A1 V
CC
A6
a2 (3)
y2 (4)
NC
a3 (5)
(12)
Y6
(11) a5
NC
(10) Y5
(6) (7) (8) (9)
A4Y4GNDY3
(2) (1)
(14)
(13)
ACS04MS