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rf 设备 数据
freescale 半导体
mrf6s9160hr3 mrf6s9160hsr3
典型 特性
η
D
,
流 效率 (%)
210
10
10
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
这个 在之上 图表 显示 计算 mttf 在 小时 x ampere
2
流 电流. 生命 tests 在 提升 温度 有 correlated 至
更好的比
±
10% 的 这 theoretical prediction 为 metal 失败. 分隔
mttf 因素 用 i
D
2
为 mttf 在 一个 particular 应用.
10
8
10
7
mttf 因素 (小时 x 放大器
2
)
90 110 130 150 170 190100 120 140 160 180 200
图示 11. 电源 增益 和 流 效率
相比 cw 输出 电源
16
0
P
输出
, 输出 电源 (watts) cw
23
70
21
60
20
50
30
20
1 10 100
17
V
DD
= 28 vdc
I
DQ
= 1200 毫安
f = 880 mhz
G
ps
G
ps
, 电源 增益 (db)
22
10
η
D
300
T
C
= −30
C
−30
C
25
C
85
C
19
18
40
85
C
图示 12. 电源 增益 相比 输出 电源
P
输出
, 输出 电源 (watts) cw
G
ps
, 电源 增益 (db)
V
DD
= 12 v
16
V
300
16
21
0 20050
17
100 150
19
18
20
I
DQ
= 1200 毫安
f = 880 mhz
20
V
24
V
28
V
32
V
250
图示 13. mttf 因素 相比 接合面 温度
10
9
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