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4 meg x 4 fpm dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
d49_5v.p65 – rev. 5/00 ©2000, micron 技术, 公司
4 meg x 4
fpm dram
交流 电的 特性
(注释: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12) [vcc (min)
Vcc
vcc (最大值)]
交流 特性 -5 -6
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
进入 时间 从 column 地址
t
AA 25 30 ns
column-地址 支撑 时间 (关联 至 ras#)
t
AR 38 45 ns
column-地址 建制 时间
t
ASC 0 0 ns
行-地址 建制 时间
t
ASR 0 0 ns
column 地址 至 we# 延迟 时间
t
AWD 42 49 ns 18
进入 时间 从 cas#
t
CAC 13 15 ns
column-地址 支撑 时间
t
CAH 8 10 ns
cas# 脉冲波 宽度
t
CAS 8 10,000 10 10,000 ns
cas# 低 至 “don’t care” 在 自 refresh
t
CHD 15 15 ns
cas# 支撑 时间 (cbr refresh)
t
CHR 8 10 ns 4
cas# 至 输出 在 低-z
t
CLZ 0 0 ns 22
cas# precharge 时间
t
CP 8 10 ns 13
进入 时间 从 cas# precharge
t
CPA 28 35 ns
cas# 至 ras# precharge 时间
t
CRP 5 5 ns
cas# 支撑 时间
t
CSH 38 45 ns
cas# 建制 时间 (cbr refresh)
t
CSR 5 5 ns 4
cas# 至 we# 延迟 时间
t
CWD 28 35 ns 18
写 command 至 cas# 含铅的 时间
t
CWL 8 10 ns
数据-在 支撑 时间
t
DH 8 10 ns 19
数据-在 建制 时间
t
DS 0 0 ns 19
输出 使不能运转
t
OD 0 12 0 15 ns 22
输出 使能
t
OE 12 15 ns 20
oe# 支撑 时间 从 we# 在
t
OEH 8 10 ns
读-modify-写 循环
输出 缓存区 转变-止 延迟
t
止 0 12 0 15 ns 17, 22
oe# 建制 较早的 至 ras# 在 hidden refresh 循环
t
ORD 0 0 ns
快-页-模式 读 或者 写 循环 时间
t
PC 20 25 ns
快-页-模式 读-写 循环 时间
t
PRWC 47 56 ns
进入 时间 从 ras#
t
RAC 50 60 ns
ras# 至 column-地址 延迟 时间
t
RAD 9 12 ns 15
行-地址 支撑 时间
t
RAH 9 10 ns
ras# 脉冲波 宽度
t
RAS 50 10,000 60 10,000 ns
ras# 脉冲波 宽度 (快 页 模式)
t
RASP 50 125,000 60 125,000 ns
ras# 脉冲波 宽度 在 自 refresh
t
RASS 100 100 µs
随机的 读 或者 写 循环 时间
t
RC 84 104 ns
ras# 至 cas# 延迟 时间
t
RCD 11 14 ns 14
读 command 支撑 时间 (关联 至 cas#)
t
RCH 0 0 ns 16
读 command 建制 时间
t
RCS 0 0 ns
refresh 时期 (2,048 循环)
t
REF 32 32 ms
refresh 时期 (4,096 循环)
t
REF 64 64 ms