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资料编号:112630
 
资料名称:TC58DVM72A1FT00
 
文件大小: 369.62K
   
说明
 
介绍:
128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM
 
 


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tc58dvm72a1ft00/ tc58dvm72f1ft00
tc58dam72a1ft00/ tc58dam72f1ft00
2003-01-24 17/34
图式 cell 布局 和 地址 分派
这 程序 运作 工作 在 页 单位 当 这 擦掉 运作 工作 在 块 单位.
一个 页 组成 的 528 字节 在 这个 512 字节 是 使用
为 主要的 记忆 存储 和 16 字节 是 为 多余
或者 为 其它 使用.
1 页
528 字节
1 块
528 字节
32 页
(16k
512) 字节
Capacity
528 字节
32 页
1024 blocks
一个 页 组成 的 264 words 在 这个 256 words 是
使用 为 主要的 记忆 存储 和 8 words 是 为
多余 或者 为 其它 使用.
1 页
264 words
1 块
264 words
32 页
(8k
256) words
Capacity
264 words
32 页
1024 blocks
一个 地址 是 读 在 通过 这 i/o 端口 在 三
consecutive 时钟 循环, 作 显示 在 表格 1.
表格 1. 寻址
i/o8 i/o7 i/o6 i/o5 i/o4 i/o3 i/o2 i/o1
第一 循环 a7 a6 a5 a4 a3 a2 a1 a0
第二 循环 a16 a15 a14 a13 A12 A11 A10 A9
第三 循环 *L A23 A22 A21 A20 A19 A18 A17
a0~a7: column 地址
a9~a23: 页 地址
a14~a23: 块 地址
a9~a13: 与非 地址 在 块
*
: a8 是 automatically 设置 至 低 或者 高 用 一个 00h command 或者 一个 01h command.
i/o9-16 应当 是 低 当 地址 是 输入.
* i/o8 必须 是 设置 至 低 在 这 第三 循环.
32 页
1 块
8256
i/o1
i/o16
16i/o
264
32768 页
1024 blocks
Figure 2-2. x16 图式 cell lay输出

32 页
1 块
16512
i/o1
i/o8
8i/o
528
32768 页
1024 blocks

图示 2. 图式 cell 布局

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