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资料编号:112630
 
资料名称:TC58DVM72A1FT00
 
文件大小: 369.62K
   
说明
 
介绍:
128-MBIT (16M x 8 BITS/8M x 16BITS) CMOS NAND E2PROM
 
 


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tc58dvm72a1ft00/ tc58dvm72f1ft00
tc58dam72a1ft00/ tc58dam72f1ft00
2003-01-24 26/34
(6) 寻址 为 程序 运作
在里面 一个 块, 这 页 必须 是 编写程序 consecutively 从 这 lsb (least 重大的 位) 页 的
这 块 至 msb (大多数 重大的 位) 页 的 这 块. 随机的 页 地址 程序编制 是 prohibited.
(7) 状态 读 在 一个 读 运作
这 设备 状态 能 是 读 输出 用 inputting 这 状态 读 command “70h” 在 读 模式.
once 这 设备 有 被 设置 至 状态 读 模式 用 一个 “70h” command, 这 设备 将 不 返回 至 读
模式.
因此, 一个 状态 读 在 一个 读 运作 是 prohibited.
至 读 模式. 在 这个 情况, 数据 输出 开始 automatically 从 地址 n 和 地址 输入 是 unnecessary
数据 在: 数据 (1)
页 0
数据 寄存器
页 2
页 1
页 15
页 31
(1)
(2)
(3)
(16)
(32)
数据 (32)
从 这 lsb 页 至 msb 页
数据 在: 数据 (1)
页 0
数据 寄存器
页 2
页 1
页 15
页 31
(2)
(16)
(3)
(1)
(32)
数据 (32)
ex.) 随机的 页 程序 (prohibition)
图示 17. 页 程序编制 在里面 一个 块
00
地址 n
command
CE
我们
用/ry
RE
[A]
状态 读
command 输入
状态 读 状态 输出
图示 18.
70
00
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