AO4918
标识 最小值 典型值 最大值 单位
BV
DSS
30 V
0.007 0.05
3.2 10
12 20
I
GSS
100 nA
V
gs(th)
0.6 1.1 2 V
I
d(在)
40 一个
11.7 14.5
T
J
=125°C
15.4 19
13.1 16
m
Ω
g
FS
30 37 S
V
SD
0.46 0.5 V
I
S
3.5 一个
C
iss
3740 4488 pF
C
oss
295 pF
C
rss
186 pF
R
g
0.86 1.1
Ω
Q
g
30.5 37 nC
Q
gs
4.5 nC
Q
gd
8.5 nC
t
d(在)
69ns
t
r
8.2 12 ns
t
d(止)
54.5 75 ns
t
f
10.5 15 ns
t
rr
身体 二极管 + 肖特基 反转 恢复 时间
I
F
=9.3a, di/dt=100a/
µ
s
23.5
28 ns
Q
rr
身体 二极管 + 肖特基 反转 恢复 承担
I
F
=9.3a, di/dt=100a/
µ
s
13.3
16 nC
这个 产品 有 被 设计 和 qualified 为 这 消费者 market. 产品 或者 使用 作 核心的
组件 在 生命 支持 设备 或者 系统 是 不 被授权的. aos 做 不 假设 任何 责任 产生
输出 的 此类 产品 或者 使用 的 它的 产品. aos reserves 这 正确的 至 改进 产品 设计,
功能 和 可靠性 没有 注意.
门 源 承担
门 流 承担
转变-在 delaytime
V
GS
=10v, v
DS
=15v, r
L
=1.6
Ω
,
R
GEN
=3
Ω
V
GS
=4.5v, v
DS
=15v, i
D
=9.3a
转变-在 上升 时间
转变-止 delaytime
转变-止 下降 时间
切换 参数
总的 门 承担
门 阻抗 V
GS
=0v, v
DS
=0v, f=1mhz
向前 跨导 V
DS
=5v, i
D
=9.3a
diode+schottky 向前 电压 I
S
=1A
最大 身体-diode+schottky 持续的 电流
动态 参数
输入 电容
V
GS
=0v, v
DS
=15v, f=1mhz
输出 电容 (场效应晶体管 + 肖特基)
反转 转移 电容
R
ds(在)
静态的 流-源 在-阻抗
V
GS
=10v, i
D
=9.3a
m
Ω
V
GS
=4.5v, i
D
=8.8a
门 门槛 电压 V
DS
=V
GS
I
D
=250
µ
一个
在 状态 流 电流 V
GS
=4.5v, v
DS
=5V
毫安
门-身体 泄漏 电流 V
DS
=0v, v
GS
= ±12v
V
R
=30v, t
J
=125°C
V
R
=30v, t
J
=150°C
流-源 损坏 电压 I
D
=250
µ
一个, v
GS
=0V
I
DSS
零 门 电压 流 电流.
(设置 用 肖特基 泄漏)
V
R
=30V
q1 电的 特性 (t
J
=25°c 除非 否则 指出)
参数 情况
静态的 参数
一个: 这 值 的 r
θ
JA
是 量过的 和 这 设备 挂载 在 1in
2
fr-4 板 和 2oz. 铜, 在 一个 安静的 空气 环境 和 t
一个
=25°c. 这 值 在 任何
给 应用 取决于 在 这 用户's 明确的 板 设计. 这 电流 比率 是 为基础 在 这 t
≤
10s 热的 阻抗 比率.
b: repetitive 比率, 脉冲波 宽度 限制 用 接合面 温度.
c. 这 r
θ
JA
是 这 总 的 这 热的 impedence 从 接合面 至 含铅的 r
θ
JL
和 含铅的 至 包围的.
d. 这 静态的 特性 在 计算数量 1 至 6,12,14 是 得到 使用 80
µ
s 脉冲, 职责 循环 0.5% 最大值
e. 这些 tests 是 执行 和 这 设备 挂载 在 1 在
2
fr-4 板 和 2oz. 铜, 在 一个 安静的 空气 环境 和 t
一个
=25°c. 这 soa 曲线
提供 一个 单独的 脉冲波 比率.
f. 这 肖特基 呈现 在 并行的 和 这 场效应晶体管 身体 二极管, 甚至 though 它 是 一个 独立的 碎片. 因此, 我们 提供 这 网 向前 drop, 电容
和 恢复 特性 的 这 场效应晶体管 和 肖特基. 不管怎样, 这 热的 阻抗 是 指定 为 各自 碎片 separately
rev4: 8月 2005
.
alpha omega 半导体, 有限公司.
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