关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:1130448
资料名称:
AO4914A
文件大小: 461K
说明
:
介绍
:
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
AO4918
q1 典型 电的 和 热的 典型的
S
0
10
20
30
40
012345
V
DS
(伏特)
图 1: 在-区域 特性
I
D
(一个)
V
GS
=2V
2.5v
4.5v
10V
0
5
10
15
20
25
30
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
(伏特)
图示 2: 转移 特性
I
D
(一个)
10
11
12
13
14
0
5
10
15
20
25
30
I
D
(一个)
图示 3: 在-阻抗 vs. 流 电流 和
门 电压
R
ds(在)
(m
Ω
)
1.0e-05
1.0e-04
1.0e-03
1.0e-02
1.0e-01
1.0e+00
1.0e+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(伏特)
图示 6: 身体-二极管 特性
(便条 f)
I
S
(一个)
125°C
FET+SCHOTTKY
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
50
100
150
200
温度 (°c)
图示 4: 在 阻抗 vs. 接合面 温度
normalized 在-阻抗
V
GS
=10V
V
GS
=4.5v
5
10
15
20
25
30
0246810
V
GS
(伏特)
图示 5: 在 阻抗 vs. 门-源 电压
R
ds(在)
(m
Ω
)
V
DS
=5V
V
GS
=4.5v
V
GS
=10V
I
D
=9.3a
25°C
I
D
=9.3a
125°C
25°C
25°C
125°C
alpha omega 半导体, 有限公司.
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com