AO4918
q1 典型 电的 和 热的 典型的
S
0
1
2
3
4
5
0 5 10 15 20 25 30 35
Q
g
(nc)
图示 7: 门-承担 特性
V
GS
(伏特)
100
1000
10000
0 5 10 15 20 25 30
V
DS
(伏特)
图示 8: 电容 特性
电容 (pf)
C
iss
C
oss
FET+SCHOTTKY
0
10
20
30
40
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
脉冲波 宽度 (s)
图示 10: 单独的 脉冲波 电源 比率 接合面-至-
包围的 (便条 e)
电源 (w)
0.01
0.1
1
10
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
脉冲波 宽度 (s)
图示 11: normalized 最大 瞬时 热的 阻抗
Z
θ
JA
normalized 瞬时
热的 阻抗
C
rss
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1 1 10 100
V
DS
(伏特)
I
D
(一个)
图示 9: 最大 向前 片面的 safe
运行 范围 (便条 e)
100
µ
s
10ms
1ms
0.1s
1s
10s
直流
R
ds(在)
限制
10
µ
s
V
DS
=15V
I
D
=9.3a
单独的 脉冲波
D=T
在
/t
T
j,pk
=T
一个
+P
DM
.z
θ
JA
.r
θ
JA
R
θ
JA
=62.5°c/w
T
在
T
P
D
在 descending 顺序
d=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, 单独的 脉冲波
T
j(最大值)
=150°C
T
一个
=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
T
j(最大值)
=150°c, t
一个
=25°C
alpha omega 半导体, 有限公司.
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